一种发光元件及发光装置.pdf
永香****能手
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一种发光元件及发光装置.pdf
本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光元件及发光装置,包括第一LED子单元,第二LED子单元,以及第一焊盘电极、第二焊盘电极和第三焊盘电极,第一焊盘电极与第一LED子单元和第二LED子单元共同地电性连接,第二焊盘电极与第一LED子单元电性连接,第三焊盘电极与第二LED子单元电性连接;第二LED子单元围绕第一LED子单元设置,第二LED子单元和第一LED子单元各自的发光区域呈旋转对称图形并且具有重叠的旋转中心。通过个LED子单元各自的发光区域旋转对称设置,可以使得发光元件在多个方向上与排列时形成正确
半导体发光元件、发光装置.pdf
本发明的课题是在采用Ⅲ族氮化物半导体输出呈现绿色的波长的光的半导体发光元件中,降低输出的光的发光波长的分布,使单色性提高。半导体发光元件(1)具备:含有n型杂质(Si)的n型覆盖层(142)、在n型覆盖层(142)上层叠的发光层(150)、包含含有p型杂质(Mg)并且在发光层(150)上层叠的p型覆盖层(161)的p型半导体层(160)。发光层(150)具备第1势垒层(1511)~第5势垒层(1515)、和第1阱层(1521)~第5阱层(1524),具有由2个势垒层夹持1个阱层的多量子阱结构。并且,p型覆
半导体发光元件、发光装置.pdf
本发明的课题是在使用III族氮化物半导体输出呈绿色的波长的光的半导体发光元件中使发光输出功率提高。一种半导体发光元件(1),具有:含有n型杂质(Si)的n型覆盖层(142);层叠在n型覆盖层(142)上的发光层(150);和含有p型杂质且层叠在发光层(150)上的p型覆盖层(161)。发光层(150)具有多量子阱结构,所述多量子阱结构具备第1势垒层(1511)~第5势垒层(1515)和第1阱层(1521)~第4阱层(1524),且由两个势垒层夹持一个阱层。在发光层(150)中设为下述构成:以输出绿色光的组
半导体发光元件及其发光装置.pdf
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发光元件以及包括该发光元件的发光装置.pdf
公开了一种可以降低功耗的发光元件以及包括该发光元件的发光装置。该发光元件包括通过从第一电极和第二电极分别提供的电子和空穴的复合而发光的有源层和控制所述有源层的发光的控制电极。因此,可省略通常连接至发光元件的晶体管,从而可防止由于晶体管而产生的功耗。