一种以MAX相-钛碳化铝为助剂的复相碳化硅导电陶瓷及其制备方法.pdf
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一种以MAX相-钛碳化铝为助剂的复相碳化硅导电陶瓷及其制备方法.pdf
本发明公开一种以MAX相?钛碳化铝为助剂的复相碳化硅导电陶瓷及其制备方法。所述复相碳化硅导电陶瓷包括SiC基体和由Ti<base:Sub>3</base:Sub>AlC<base:Sub>2</base:Sub>原位分解产生的、均匀分散在SiC基体中的TiC相;其中TiC相占复相碳化硅导电陶瓷的质量百分比为9.2?12.3%。本发明通过引入合适的导电第二相实现烧结致密和碳化硅导电性的提高。Ti<base:Sub>3</base:Sub>AlC<base:Sub>2</base:Sub>属于三元层状化合物M
一种碳化硅/碳化钛复相陶瓷的制备方法.pdf
一种碳化硅/碳化钛复相陶瓷的制备方法。属于无机非金属材料领域,提供一种碳化硅/碳化钛复相陶瓷的制备方法。在惰性气氛保护下,将二氯二茂钛和超支化聚碳硅烷加入溶剂中得溶液;将所得溶液中的溶剂脱除,剩余物在惰性气氛下进行裂解反应,反应结束后即得碳化硅/碳化钛复相陶瓷。解决了现有的先驱体转化法制备碳化硅/碳化钛复相陶瓷过程中,因为引入氧而导致的复相陶瓷力学性能和耐高温性能下降的问题,所用工艺简单,成本低廉,制得的碳化硅/碳化钛复相陶瓷产率高。
高导电碳化硅基复相陶瓷的制备及其性能研究.docx
高导电碳化硅基复相陶瓷的制备及其性能研究高导电碳化硅基复相陶瓷的制备及其性能研究摘要:本论文研究了一种高导电碳化硅基复相陶瓷的制备工艺以及其性能。采用化学气相沉积法制备了具有优异导电性能的碳化硅陶瓷,并通过控制处理工艺,成功地制备了碳化硅基复相陶瓷。通过对材料的表征分析,发现所制备的复相陶瓷具有优异的导电性能和力学性能,并且具有良好的高温稳定性。该研究对于开发高导电性能陶瓷材料具有一定的借鉴意义。关键词:高导电碳化硅,复相陶瓷,制备工艺,性能研究引言:高导电性陶瓷材料在电子器件、导热器件以及高温结构中具有
一种碳化硅|氧化铝复相陶瓷的制备方法.pdf
本发明涉及一种碳化硅|氧化铝复相陶瓷的制备方法,属于复相陶瓷的制备领域。本发明采用纳米级碳化硅粉和微米级氧化铝粉为原料,首先称取若干组分的原料,混合后以无水乙醇为分散介质,高纯氧化铝球为磨球进行球磨混料。将混合后的料浆在冷冻干燥机中冷干燥,再将干燥后的粉体研磨并过筛,获得混合均匀的粉料,将其装在石墨模具内,使用真空热压炉烧结,制备出圆饼状碳化硅|氧化铝复相陶瓷。该方法的制备工艺操作简便,所制备的碳化硅|氧化铝复相陶瓷,具有相对密度高,弯曲强度高,断裂韧性好,维氏硬度高等优点,且分别超过99.47%,507
一种碳化硅复相陶瓷的制备方法.pdf
本发明涉及一种复合陶瓷的制备方法,特别是一种基于石墨烯的层状碳化硅/反应烧结碳化硅复相陶瓷的制备方法。包括:称取碳化硅粗粉Ⅰ、碳化硅细粉Ⅱ、石墨烯纳米片、木炭黑、分散剂、结合剂;将碳化硅粗粉Ⅰ、碳化硅细粉Ⅱ和结合剂加入到分散介质中,放入行星式球磨机中高速球磨;将预分散的石墨烯纳米片、木炭黑与分散剂加入,继续高速球磨;将陶瓷浆料干燥、过筛、加压成型得到素坯;将素坯移入真空烧结炉,素坯上方均匀平铺高纯硅粉,再进行熔渗‑反应烧结,即得本发明复相陶瓷。本发明的层状碳化硅/反应烧结碳化硅复相陶瓷,体积密度>3.1g