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本发明公开一种以MAX相?钛碳化铝为助剂的复相碳化硅导电陶瓷及其制备方法。所述复相碳化硅导电陶瓷包括SiC基体和由Ti3AlC2原位分解产生的、均匀分散在SiC基体中的TiC相;其中TiC相占复相碳化硅导电陶瓷的质量百分比为9.2?12.3%。本发明通过引入合适的导电第二相实现烧结致密和碳化硅导电性的提高。Ti3AlC2属于三元层状化合物MAX相材料,本身具有较高电导率(3.1×106S·m?1)以及较高的烧结活性。在烧结过程中Ti3AlC2分解并与SiC基体发生固溶反应,既可以促进SiC陶瓷的烧结致密,又有利于其电学性能的提升。