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本发明提供了一种垂直腔面发射激光器,涉及激光器的技术领域,包括:有源区结构以及位于有源区结构相对两侧的材料为AlxGa(1?x)As/AlyGa(1?y)As的N?DBR和AlmGa(1?m)As/AlnGa(1?n)As的P?DBR;所述有源区结构包括发光单元,所述发光单元包括材料为InAs的量子点和材料为IneGa(1?e)As/InfGa(1?f)As的短周期超晶格层,所述量子点的上侧和/或下侧设置有所述短周期超晶格层。由于有源区增加了短周期超晶格层,短周期超晶格层可以产生多纵向光子?声子,在多纵向光子?声子散射辅助载流子驰豫的过程中,有源区两侧的载流子的驰豫速率提高了。