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一种精简外延倒装VCSEL芯片及其制造方法.pdf
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雨巷****莺莺
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本发明涉及电子芯片技术领域，公开了一种精简外延倒装VCSEL芯片及其制造方法，VCSEL芯片包括量子阱、第一过渡层和第二过渡层；第一过渡层上生长有第一欧姆接触层，第一欧姆接触层上生长有第一ODR柱，第一ODR柱上蒸镀有镜面层，镜面层的侧壁生长有SiO
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