

快速恢复外延二极管用双层硅外延片的制备方法.pdf
是笛****加盟
在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便
相关资料
快速恢复外延二极管用双层硅外延片的制备方法.pdf
本发明提供了一种快速恢复外延二极管用双层硅外延片的制备方法,属于半导体材料制备技术领域,方法包括硅衬底片的预处理:外延前对选用的硅衬底片进行清洗、抛光,并在抛光时,外延腔室内温度升温至1030~1060℃;外延生长:在外延腔室内通入三氯氢硅作为硅源,外延腔室内温度保持1030~1060℃;在硅衬底片上低速生长本征外延层;在外延腔室内通入H<base:Sub>2</base:Sub>变流量吹扫1?3分钟清理杂质;在本征外延层上变高速生长掺杂磷烷的第一层外延层;再次通入H<base:Sub>2</base:S
快速恢复外延二极管用硅外延片的工艺研究.docx
快速恢复外延二极管用硅外延片的工艺研究快速恢复外延二极管是一种热门的半导体器件,它具有高精度、高速度、高灵敏度和稳定性等特点。目前,二极管的快速恢复方案主要分为两类,即滞后二极管和外延二极管。本篇论文主要介绍快速恢复外延二极管的工艺研究和发展。一、外延二极管的基本原理外延二极管与标准二极管类似,都是由两个半导体材料组成的器件,但其在电压和频率等方面具有更高的性能。外延二极管是通过在p型硅片上生长一个n型外延层来制造的,其结构和标准二极管非常相似。硅外延片的选择、生长和即席独特的硅外延工艺非常关键,这些步骤
一种阶跃恢复二极管用硅外延片的制备方法.pdf
本发明公开了一种阶跃恢复二极管用硅外延片的制备方法。该制备方法克服了现有阶跃恢复二极管用硅外延片工艺中存在的过渡区宽度的控制问题,在外延层生长过程中采用两段生长,先使用反复变流量的氢气吹扫一段时间,将杂质不断稀释排除出外延炉反应腔体,然后低温低速生长第一段外延,减少了气相自掺杂的影响,改善了过渡区的结构,随后使用反复变流量的氢气再吹扫一段时间,然后高温快生长第二段外延层,最终达到目标厚度和电阻率。通过外延工艺的优化,实现了常压下对衬底杂质自扩散因素的控制,缩短了过渡区的宽度,使其占外延层厚度百分比的13%
双层外延片的制备方法、设备及双层外延片.pdf
本发明公开了一种双层外延片的制备方法及双层外延片,制备方法:在衬底上生长缓冲层,然后在缓冲层上生长耐压层,在生长缓冲层和生长耐压层的两个过程中分别使用独立的管路提供掺杂气源。本发明研究双层外延片的耐压层过渡区宽的问题,其原因是缓冲层生长完成后,外延机台的气体管路中仍会残留该层生长使用的高浓度掺杂气体,如磷烷、硼烷等,从而导致在低浓度生长的耐压层的过渡区宽,本发明在缓冲层生长时和耐压层生长时分别使用独立的掺杂气源输送管道,可以解决这个问题。
双层外延片的生长方法及双层外延片.pdf
本发明公开了一种双层外延片的生长方法及双层外延片,生长方法为:在衬底上生长缓冲层,然后在缓冲层上生长耐压层;在缓冲层生长后、耐压层生长前,进行吹扫,吹扫的时间大于等于120s且小于等于300s。本发明研究双层外延片的耐压层过渡区宽的问题,其原因是缓冲层生长完成后,外延机台的气体管路中仍会残留该层生长使用的高浓度掺杂气体,如磷烷、硼烷等,从而导致在低浓度生长的耐压层的过渡区宽,本发明将标准吹扫时间的30~45s改为大于等于120s且小于等于300s,可以解决这个问题。