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本发明提供了一种快速恢复外延二极管用双层硅外延片的制备方法,属于半导体材料制备技术领域,方法包括硅衬底片的预处理:外延前对选用的硅衬底片进行清洗、抛光,并在抛光时,外延腔室内温度升温至1030~1060℃;外延生长:在外延腔室内通入三氯氢硅作为硅源,外延腔室内温度保持1030~1060℃;在硅衬底片上低速生长本征外延层;在外延腔室内通入H2变流量吹扫1?3分钟清理杂质;在本征外延层上变高速生长掺杂磷烷的第一层外延层;再次通入H2变流量吹扫1?3分钟清理杂质;改变掺杂流量,在第一层外延层上高速生长掺杂磷烷的第二层外延层。本发明能够生长出理想的平坦外延层,提高硅外延片均匀性和二极管的电学性能。