内容提供者
一种芯片与TSV硅基板的倒扣焊接方法.pdf
2023-05-23
10金币
575KB
9页
骊英****bb
实名认证
内容提供者
1/9
2/9
3/9
4/9
5/9
6/9
7/9
8/9
9/9
在线预览结束，喜欢就下载吧，查找使用更方便
相关资料
一种芯片与TSV硅基板的倒扣焊接方法.pdf
本发明公开了一种芯片与TSV硅基板的倒扣焊接方法,属于电子封装领域。本发明的芯片与TSV硅基板的倒扣焊接方法,在TSV基板上制备焊料凸台,通过熔化焊料凸台实现与芯片焊料凸点的倒扣焊,在TSV硅基板正面制备的焊料凸台在加热熔化后,与芯片焊料凸点形成金属化合金,两者之间的结合力大;本发明的焊接方法,解决了焊接时焊接温度高于TSV硅基板上PI层的耐受温度造成的材料变质的问题。
2023-05-23
10
575KB
一种基于TSV工艺的晶圆级硅基板制备方法.pdf
本发明公开了一种基于TSV工艺的晶圆级硅基板制备方法,包括以下步骤：采用DRIE工艺在基板圆片上制备第一盲孔；第一盲孔内壁淀积绝缘层、黏附/扩散阻挡层和种子层金属；第一盲孔内电镀铜，并采用CMP工艺进行电镀铜平坦化；在基板背面制备焊盘及钝化层；采用DRIE工艺在基板圆片正面制备第二盲孔；第二盲孔内壁淀积绝缘层，并去除底部绝缘层；第二盲孔内淀积黏附/扩散阻挡层、种子层；第二盲孔内电镀铜，并进行平坦化；基板圆片正面制备布线金属、钝化层及焊盘。本发明可实现20:1～30:1高深宽比硅基板加工，降低了通孔侧壁淀积
2023-06-28
10
998KB
一种基于TSV硅晶圆重构的裸芯片KGD筛选方法.pdf
本发明一种基于TSV硅晶圆重构的裸芯片KGD筛选方法，包括步骤1，确定硅晶圆标准基板中放置的该尺寸被测的裸芯片数量；步骤2，在硅晶圆标准基板上开设凹槽，以及制备底部有导电材料填充的TSV盲孔，凹槽中能放入被测的裸芯片且凹槽的深度大于被测的裸芯片厚度；步骤3，将被测的裸芯片放置在硅晶圆标准基板的凹槽内，然后用有机胶水涂覆，之后得到表面平整的硅晶圆标准基板；步骤4，先对表面平整的硅晶圆标准基板进行正面多层金属布线，之后通过将硅晶圆标准基板背面减薄露出TSV盲孔的底部导电材料，并进行背面多层金属布线和制备凸点，
2023-06-27
10
488KB
一种银硅共晶焊接芯片的方法.pdf
本发明涉及一种银硅共晶焊接芯片的方法，该方法无需采用焊片进行导体器件的焊接方法，属于芯片焊接技术领域。将待焊接芯片的一侧进行金属化处理；将载体的一侧进行金属化处理；将待焊接芯片叠放在载体上，给待焊接芯片表面施加配重，然后放入高温炉中；将高温炉升高至合适温度，并保持一定时间后降温至室温，完成焊接。本发明的方法采用银硅共晶焊接可以将工艺温度提高至890～970℃，为后续的高温操作提供了大的工艺窗口；焊接时，不放置焊片，利用芯片与载体的金属结构进行焊接，有效的控制了焊料的融化范围。
2023-06-20
10
1.5MB
一种TSV芯片及其制造方法.pdf
本发明涉及芯片制造领域，特别是涉及一种TSV芯片及其制造方法，通过在TSV芯片前驱体的正面整面覆盖硬掩膜层；在覆盖所述硬掩膜层的TSV芯片前驱体的正面设置TSV电连接开口及假性开口，得到金属前置物；所述TSV电连接开口底部暴露出所述TSV芯片前驱体的次层电路结构层，所述假性开口仅贯穿所述硬掩膜层；在所述金属前置物的正面设置导电填充层；所述导电填充层填充所述TSV电连接开口及所述假性开口，且覆盖所述硬掩膜层；对所述导电填充层进行平坦化，并暴露出所述硬掩膜层，得到TSV构造体；对所述TSV构造体进行封装，得到
2023-06-02
10
1MB