一种基于TSV硅晶圆重构的裸芯片KGD筛选方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111696880A(43)申请公布日2020.09.22(21)申请号202010544608.6(22)申请日2020.06.15(71)申请人西安微电子技术研究所地址710065陕西省西安市雁塔区太白南路198号(72)发明人唐磊李宝霞匡乃亮郭雁蓉赵超(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司61200代理人李鹏威(51)Int.Cl.H01L21/66(2006.01)B07C5/344(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称一种基于TSV硅晶圆重构的裸芯片KGD筛选方法(57)摘要本发明一种基于TSV硅晶圆重构的裸芯片KGD筛选方法，包括步骤1，确定硅晶圆标准基板中放置的该尺寸被测的裸芯片数量；步骤2，在硅晶圆标准基板上开设凹槽，以及制备底部有导电材料填充的TSV盲孔，凹槽中能放入被测的裸芯片且凹槽的深度大于被测的裸芯片厚度；步骤3，将被测的裸芯片放置在硅晶圆标准基板的凹槽内，然后用有机胶水涂覆，之后得到表面平整的硅晶圆标准基板；步骤4，先对表面平整的硅晶圆标准基板进行正面多层金属布线，之后通过将硅晶圆标准基板背面减薄露出TSV盲孔的底部导电材料，并进行背面多层金属布线和制备凸点，最后将得到的硅晶圆标准基板按照其中埋置的被测裸芯片尺寸划片后通过KGD测试进行筛选。CN111696880ACN111696880A权利要求书1/1页1.一种基于TSV硅晶圆重构的裸芯片KGD筛选方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，根据硅晶圆标准基板和被测的裸芯片尺寸，确定硅晶圆标准基板中放置的该尺寸被测的裸芯片数量；步骤2，在硅晶圆标准基板上开设凹槽，以及制备底部有导电材料填充的TSV盲孔，所述的凹槽中能放入被测的裸芯片且凹槽的深度大于被测的裸芯片厚度；步骤3，将被测的裸芯片放置在硅晶圆标准基板的凹槽内，然后用有机胶水涂覆，之后得到表面平整的硅晶圆标准基板；步骤4，先对表面平整的硅晶圆标准基板进行正面多层金属布线，之后通过将硅晶圆标准基板背面减薄露出TSV盲孔的底部导电材料，并进行背面多层金属布线和制备凸点，最后将得到的硅晶圆标准基板按照其中埋置的被测裸芯片尺寸划片后通过KGD测试进行筛选。2.根据权利要求1所述的一种基于TSV硅晶圆重构的裸芯片KGD筛选方法，其特征在于，步骤1中，所述硅晶圆标准基板的厚度为300～1000μm。3.根据权利要求1所述的一种基于TSV硅晶圆重构的裸芯片KGD筛选方法，其特征在于，步骤2中，当被测的裸芯片的形状为长方形时，凹槽的横截面形状为长方形，凹槽在硅晶圆标准基板表面的开口边长均大于与被测的裸芯片对应边长10-100微米，凹槽底部的边长均大于与被测的裸芯片对应边长10-100微米。4.根据权利要求1所述的一种基于TSV硅晶圆重构的裸芯片KGD筛选方法，其特征在于，步骤2中，当被测的裸芯片的形状为圆形时，凹槽的横截面为圆形，凹槽在硅晶圆标准基板表面的开口半径比被测的裸芯片半径大5-50微米，凹槽底部的半径比被测的裸芯片半径大5-50微米。5.根据权利要求3或4所述的一种基于TSV硅晶圆重构的裸芯片KGD筛选方法，其特征在于，凹槽在硅晶圆标准基板表面的开口尺寸不小于凹槽底部的尺寸。6.根据权利要求1所述的一种基于TSV硅晶圆重构的裸芯片KGD筛选方法，其特征在于，步骤2中，被测的裸芯片底部和凹槽底部之间通过粘接或焊接结合。7.根据权利要求6所述的一种基于TSV硅晶圆重构的裸芯片KGD筛选方法，其特征在于，被测的裸芯片表面高度比硅晶圆标准基板表面的高度低20微米以内。8.根据权利要求1所述的一种基于TSV硅晶圆重构的裸芯片KGD筛选方法，其特征在于，步骤3中，有机胶水通过真空喷涂、旋涂或真空压膜涂覆在被测的裸芯片表面。9.根据权利要求1所述的一种基于TSV硅晶圆重构的裸芯片KGD筛选方法，其特征在于，步骤3中，当有机胶水为光敏材料时，采用依次光刻、显影的方法将TSV盲孔中的导电材料上表面，以及芯片PAD上表面暴露出来，最后固化获得表面平整的硅晶圆标准基板。10.根据权利要求1所述的一种基于TSV硅晶圆重构的裸芯片KGD筛选方法，其特征在于，步骤3中，当有机胶水为非光敏材料时，先将有机胶水固化，再依次在上述有机胶水表面涂覆光刻胶、光刻、显影和刻蚀有机材料胶，获得TSV盲孔中导电材料上表面，以及芯片PAD上表面暴露的表面平整的硅晶圆标准基板。2CN111696880A说明书1/4页一种基于TSV硅晶圆重构的裸芯片KGD筛选方法技术领域[0001]本发明涉及裸芯片KGD测试技术领域，具体为一种基于TSV硅晶圆重构的裸芯片KGD筛选方法。背景技术[0002]随着半导体产业的发展，基于裸芯片的MCM封装技术