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三维存储器件.pdf
2023-05-23
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一吃****书竹
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相关资料
三维存储器件.pdf
一种三维存储器件,包括一衬底以及一存储堆叠结构设置在所述衬底上。第一阶梯结构位于所述存储堆叠结构的第一侧。第二阶梯结构位于所述存储堆叠结构的第二侧。第三阶梯结构位于所述存储堆叠结构的第三侧。自所述衬底的表面,所述第一阶梯结构、所述第二阶梯结构以及所述第三阶梯结构的台阶分别位于不同高度处,以分别扇出存储堆叠结构的各个导电层。
2023-05-23
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三维存储器件.pdf
本申请提供了一种三维存储器件,包括:衬底,在该衬底上限定有核心区及与核心区相邻的台阶区,核心区可包括第一区域和第二区域,第二区域可位于第一区域与台阶区之间;堆叠层,可位于衬底上,该堆叠层可包括交替堆叠的绝缘层和栅极层;沟道结构,可贯穿位于第一区域的堆叠层;以及第一虚拟沟道结构,可贯穿位于第二区域的堆叠层,该第一虚拟沟道结构在衬底的表面的正投影可为条形轮廓。根据本申请的三维存储器件通过将邻近沟道结构处的常规圆形虚拟沟道结构改进为条形虚拟沟道结构,可改善填充不充分而导致的漏电现象,和/或可改善选择性外延生长层
2023-05-19
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三维半导体存储器件.pdf
本公开提供了三维半导体存储器件。一种三维半导体存储器件可以包括垂直地穿过三维半导体存储器件的单元阵列区域中的堆叠结构的上结构和下结构的垂直沟道结构。垂直沟道结构可以具有在垂直沟道结构中的上结构与下结构相遇的水平面处具有台阶轮廓的侧壁。垂直虚设结构可以在该三维半导体存储器件的连接区域中垂直地穿过由上结构和下结构限定的阶梯结构，并且垂直虚设结构可以具有在上结构与下结构相遇的水平面处具有平坦轮廓的侧壁。
2023-08-31
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三维存储器件的擦除方法.pdf
一种三维存储器件擦除方法，包括：步骤1、接收擦除命令；步骤2、判定存储块是否被选中，是则执行步骤3，否则执行步骤4；步骤3、执行奇偶字线交替擦除，随后执行步骤5；步骤4、浮置未选中存储块的所有字线，随后结束；步骤5、验证存储块是否擦除成功，是则结束，否则执行步骤3。依照本发明的三维半导体存储器件擦除方法，使得奇数字线和偶数字线交替选通/浮置，横向电场抑制擦除空穴的移动，使得存储层中电子能够被完全擦除而没有空穴残留，避免了器件失效。
2023-11-21
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三维存储器件及其制造方法.pdf
本申请提供了一种三维存储器件，包括：衬底；堆叠结构，形成于衬底上并包括交替堆叠的栅极层和绝缘层，该堆叠结构具有沿第一方向布置的存储阵列区和台阶区；至少一个栅线隙结构，至少沿第一方向延伸穿过台阶区，将堆叠结构分成多个分隔区域；以及槽结构，沿着第一方向布置，并贯穿位于台阶区的堆叠结构。根据本申请的三维存储器件，可减小由于虚拟沟道结构的图案带来的应力，提高支撑力，减少栅线隙扭曲和鼠啮的情况，改善三维存储器件的良率和可靠性。
2023-05-28
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