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一种单晶钽酸钾薄膜的制备方法.pdf
2023-05-21
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一种单晶钽酸钾薄膜的制备方法.pdf
本发明公开了一种单晶钽酸钾薄膜的制备方法。该方法以五氧化二钽和氢氧化钾作为主要原料,同时氢氧化钾也作为矿化剂,在室温下强力搅拌,加入掺铌钛酸锶基板,然后将其在高温下进行水热处理,得到单晶钽酸钾薄膜。所述的掺铌钛酸锶基板为单抛的单晶基片,取向为(001)。本发明采用水热法首次制得了单晶钽酸钾薄膜。本发明的制备方法工艺过程简单,易于控制,无污染,成本低,易于规模化生产;制备的产品为高质量的大面积单晶薄膜,并且与基板形成了高质量的异质结界面,在信息存储、自旋电子器件、传感器等领域具有广泛的潜在应用前景。
2023-05-21
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富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法.pdf
富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法，它涉及钽铌酸钾晶体及其制备方法。本发明是要解决现有的低铌钽铌酸钾晶体居里温度低，而用现有晶体生长方法无法得到富铌钽铌酸钾单晶的技术问题。本发明的富铌掺锂钽铌酸钾单晶的表示式为K0.95Li0.05Ta1-xNbxO3，其中x=0.50～0.90。方法：将碳酸钾、碳酸锂、氧化钽和氧化铌粉末并混合均匀和球磨后，压片，然后预烧得到多晶片，再将多晶片捣碎、湿磨得到生长单晶的原料，在晶体提拉生长炉内经籽晶接种、提拉、等径生长后，得到富铌掺锂钽铌酸钾单晶。该单晶的相变温度为310～5
2023-06-19
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一种钽酸锂单晶的制备方法.pdf
本发明涉及一种钽酸锂单晶的制备方法，它包括以下步骤：(a)将氧化钽和碳酸锂按质量比为86.1～86.3∶13.7～13.9进行混合得第一混合物；(b)将所述第一混合物放入第一坩埚中，置于第一加热炉内，以8～10℃/分钟的速度将加热炉由室温升温至300℃，保温1.5～2小时；以3～5℃/分钟的速度将加热炉由300℃升温至800℃，保温5～10小时；以3～5℃/分钟的速度将加热炉由800℃升温至1400℃；(c)加热使钽酸锂多晶料块融化形成熔融液；再向其内通入氧气，使得惰性气体与氧气的比例为50～60∶1；(
2023-06-18
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一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶的提拉制备方法.pdf
一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶的提拉制备方法，它涉及一种单晶的制备方法。本发明的目的是提供一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶的提拉制备方法。制备方法如下：用无水乙醇将碳酸钾、碳酸锂、氧化钽、氧化铌、氧化铒和氧化镱的混合物的粉末研磨至无水乙醇挥发完全，然后放入铂金坩埚中，将铂金坩埚放入晶体生长炉内，进行晶体生长，即得铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶。本发明利用提拉法成功生长铒镱掺杂钽铌酸钾锂单晶，并且能够实现铒镱掺杂钽铌酸钾锂单晶的可控生长；另外该方法相对工艺比较简单，不使用专用设备，不需要特殊气氛生长，对环境无污染，本发明方法
2023-06-20
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一种单晶钛酸铅薄膜的制备方法.pdf
本发明公开了一种单晶钛酸铅(PbTiO<base:Sub>3</base:Sub>)薄膜的制备方法。该方法是以硝酸铅(Pb(NO<base:Sub>3</base:Sub>)<base:Sub>2</base:Sub>)和钛酸四正丁酯(TBOT)作为主要原料,氢氧化钾(KOH)作为矿化剂,通过调配各项原料物质的量,采用水热法实现了单晶PbTiO<base:Sub>3</base:Sub>薄膜的合成。本发明工艺简单,易于控制,成本低,适合大规模生产。获得的外延复合薄膜表面完整连续,界面处平整,且PbTiO<
2023-05-16
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