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本发明是一种晶圆的平面研磨方法,在该方法中,准备具有第1主面及第1主面相反侧的第2主面,且包含位于第1主面与第2主面之间的边缘部的晶圆,将脱模剂涂布在晶圆的第2主面的一部分及边缘部而形成脱模剂层,在脱模剂层上形成将第2主面及边缘部全部覆盖的树脂层,在树脂层上配置基底部件而获得晶圆复合体,在将晶圆复合体在基底部件的位置进行支撑固定的状态下,研磨晶圆的第1主面,从晶圆复合体去除基底部件,在将晶圆在第1主面的位置进行支撑固定的状态下,研磨晶圆的第2主面,清洗晶圆,去除残留在晶圆的边缘部的脱模剂层和树脂层。由此,提供可防止晶圆的破裂及边缘部的树脂的残留,并且可进行晶圆的双面研磨的晶圆的平面研磨方法。