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一种高阈值GaN增强型HEMT器件及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种高阈值GaN增强型HEMT器件及其制备方法,其结构自下而上依次包括:衬底层,成核层,GaN缓冲层,AlGaN势垒层,其中,AlGaN势垒层上设置有源极,漏极,以及源极和漏极之间且与源极和漏极有间隔的插入层;插入层的材料为AlN或AlxGa1?xN,其中,0.5≤x<1;AlN插入层或AlGaN插入层中的Al组分含量大于AlGaN势垒层中的Al组分含量;插入层上设置有p型GaN层;p型GaN层上设置有栅极。本发明可以提升p?GaN层的电离效率,实现更高阈值的增强型HEMT器件;此外还可以提升p?GaN栅结构的栅控能力,提升器件的性能。