用于SiC衬底的表面处理设备和表面处理方法.pdf
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相关资料
用于SiC衬底的表面处理设备和表面处理方法.pdf
提供了用于SiC衬底的表面处理设备和表面处理方法。提供了使用阳极氧化的用于SiC衬底的表面处理设备和表面处理方法。用于SiC衬底(W)的表面处理设备(1)包括表面处理垫(3)和电源装置(5)。表面处理垫(32)包括磨轮层。磨轮层被布置成面向SiC衬底的工件表面(W1)。电源装置使周期大于0.01秒且小于或等于20秒的脉冲电流在存在电解液(S)的情况下通过作为阳极的SiC衬底来对要由磨轮层处理的工件表面进行阳极氧化。
表面处理设备和用于运行表面处理设备的方法.pdf
为了提供一种能简单且可靠地运行的用于处理工件表面的表面处理设备而提出,该表面处理设备包括以下部分:工作区域,在该工作区域中可以对工件的表面进行处理;流动引导设备,借助该流动引导设备可以将气体流引导穿过工作区域;溶剂沉淀设备,其用于从被引导穿过工作区域的气体流中沉淀出溶剂,其中,溶剂沉淀设备可以有选择地转换到沉淀状态或不工作状态下,其中,溶剂沉淀设备在沉淀状态下从气体流中沉淀出溶剂。
用于对轮廓表面进行表面处理的表面处理修复设备及方法.pdf
本申请公开了用于对轮廓表面进行表面处理的表面处理修复设备及方法。用于对轮廓表面施加表面处理的表面处理修复设备包括被配置为可拆卸地附接到轮廓表面的附接装置和耦接到附接装置的机器人单元。此外,处理单元可操作地安装在机器人单元上,并且包括形成处理阵列的多个涂布器头,并且每个涂布器头被配置为施加表面修复处理。至少一个传感器安装在处理单元上并且被配置为识别用于表面修复处理的目标区域,并且控制器可操作地耦接到机器人单元和处理单元。控制器被编程为控制机器人单元的移动以将处理阵列定位成与目标区域邻近,并且选择性地操作处理
表面处理装置和表面处理方法.pdf
一种表面处理装置,具备:亲水基生成气体供给部(9),向所述处理室内供给所述亲水基生成气体;载置台(1),具备载置板(13)和支承部件(11),所述载置板(13)具有通气部,所述支承部件(11)从所述载置板突出设置,使所述被处理材料与所述载置板之间留有空隙地支承所述被处理材料;以及流动生成部,生成活性化了的所述亲水基生成气体的至少一部分绕入所述空隙的流动,且该流动是经过所述载置板的所述通气部的流动。
SiC陶瓷表面处理方法及其用途.pdf
本发明公开了一种SiC陶瓷表面处理方法及其用途,其特征在于,包括下述步骤:先清洗SiC陶瓷表面,然后制备TiH2膏剂,并在陶瓷表面涂敷TiH2膏剂,待干燥后,置于真空炉内热处理以使TiH2完全分解形成活性Ti,并使Ti与SiC反应在陶瓷体表面形成具有一定金属性和高稳定性的Ti(C,Si)复合陶瓷层。本发明可在SiC陶瓷-金属基复合材料或复合部件的制备或SiC陶瓷作为发热体或锅体在与熔融有色金属接触过程中,阻挡金属熔体对SiC陶瓷基体的熔解,或提高润湿性,改善界面结合,从而使得后续制备的复合材料或结构、焊接