单晶制造系统及单晶制造方法.pdf
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相关资料
单晶制造系统及单晶制造方法.pdf
本发明的课题在于提供一种能够防止校正量的计算错误及设定错误且能够在下一批次反映适当的校正量的单晶制造系统及单晶制造方法。单晶制造系统(1)具备:单晶提拉装置(10),在利用CZ法进行的单晶的提拉工序中求出单晶的直径测量值,使用直径校正系数来校正直径测量值,由此,求出单晶的第1直径,根据第1直径控制单晶的直径;直径测量装置(50),在室温下测量单晶提拉装置(10)提拉的单晶的直径,求出单晶的第2直径;及数据库服务器(60),从单晶提拉装置(10)及直径测量装置(50)分别获取第1直径及第2直径并管理。数据库
单晶制造系统及单晶制造方法.pdf
本发明的课题在于提供一种能够防止校正量的计算错误及设定错误且能够在下一批次反映适当的校正量的单晶制造系统及单晶制造方法。单晶制造系统(1)具备:单晶提拉装置(10),在利用CZ法进行的单晶的提拉工序中求出单晶的直径测量值,使用直径校正系数来校正直径测量值,由此,求出单晶的第1直径,根据第1直径控制单晶的直径;直径测量装置(50),在室温下测量单晶提拉装置(10)提拉的单晶的直径,求出单晶的第2直径;及数据库服务器(60),从单晶提拉装置(10)及直径测量装置(50)分别获取第1直径及第2直径并管理。数据库
单晶制造装置及单晶制造方法.pdf
本发明提供一种单晶制造装置,是利用切克劳斯基法来实行的单晶制造装置,其具备:坩埚,其容置原料;主室,其容置将该原料加热成原料熔液的加热器;及副室,其连接设置于该主室的上部,用以提拉并容置培育后的单晶;所述单晶制造装置的特征在于具有:内屏蔽,其配置于所述加热器与所述主室之间,并隔绝所述加热器的辐射热;及支持构件,其从下方支持该内屏蔽;并且,所述内屏蔽在三处以上的支点处与所述支持构件接触而得以被支持,所述内屏蔽的下端在所述支点以外不与所述支持构件接触。由此,提供一种单晶制造装置,所述单晶制造装置可以通过降低由
SiC单晶的制造方法、SiC单晶的制造装置以及SiC单晶晶片.pdf
本发明要解决的问题是提供一种在抑制了SiC升华的同时减少了内部应力的新型的SiC单晶主体。为了解决上述问题,本发明提供一种SiC单晶的制造方法,其包括将SiC单晶主体在含有Si元素和C元素的气氛下在1800℃以上进行加热并减少所述SiC单晶主体的内部应力的应力减少步骤。此外,本发明是一种SiC单晶的制造装置,包括:主体容器,由SiC材料制成且能够收纳SiC单晶主体;和加热炉,能够将所述主体容器在1800℃以上进行加热。
制造单晶锭的系统.pdf
本发明公开了一种制造单晶锭的系统,所述系统包括:上炉体;下炉体,所述下炉体与所述上炉体相配合以形成炉体空间;坩埚,所述坩埚设置在炉体空间内并被构造成容纳籽晶和给料;至少一个加热器;坩埚支座,用于对所述坩埚进行支撑;隔热部件;以及温度控制单元,所述温度控制单元设置在所述坩埚支座之下,用于控制容纳的籽晶处的所述坩埚位置的温度。根据本发明,可以在坩埚的底部周围形成可控的温度梯度,从而保证在定向凝固的过程中控制所述籽晶的冷却,保证在单晶形成过程中防止籽晶被完全熔化,并利用该系统以较低的成本来获得单晶锭。