制造单晶锭的系统.pdf
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相关资料
制造单晶锭的系统.pdf
本发明公开了一种制造单晶锭的系统,所述系统包括:上炉体;下炉体,所述下炉体与所述上炉体相配合以形成炉体空间;坩埚,所述坩埚设置在炉体空间内并被构造成容纳籽晶和给料;至少一个加热器;坩埚支座,用于对所述坩埚进行支撑;隔热部件;以及温度控制单元,所述温度控制单元设置在所述坩埚支座之下,用于控制容纳的籽晶处的所述坩埚位置的温度。根据本发明,可以在坩埚的底部周围形成可控的温度梯度,从而保证在定向凝固的过程中控制所述籽晶的冷却,保证在单晶形成过程中防止籽晶被完全熔化,并利用该系统以较低的成本来获得单晶锭。
单晶硅锭的制造方法.pdf
提供使用多提拉法的CZ法中通过抑制石英坩埚的内表面的粗糙来抑制单晶硅锭的有位错化从而能够提高成品率的单晶硅锭的制造方法。本发明的单晶硅锭的制造方法的特征在于,在使用多提拉法的CZ法中,具备将提拉的单晶硅锭从硅融液切开后对残留于石英坩埚内的前述硅融液施加磁场的磁场施加工序。
碳化硅单晶锭的制造方法.pdf
本发明涉及采用升华再结晶法的碳化硅单晶锭的制造方法。制造方法包括:升温工序,使在内部配置有碳化硅原料和碳化硅籽晶的晶体生长炉内的温度升温至晶体生长温度;单晶生长工序,维持晶体生长温度,使碳化硅单晶在所述碳化硅籽晶上生长;以及降温工序,使晶体生长炉内的温度从晶体生长温度降低而使碳化硅单晶的生长停止,在单晶生长工序与降温工序之间还包括降温准备工序,在将晶体生长炉内的温度维持为晶体生长温度的同时使晶体生长炉内的氮气浓度比升温工序以及单晶生长工序的氮气浓度增加,使降温工序的晶体生长炉内的氮气浓度比升温工序以及所述
单晶制造系统及单晶制造方法.pdf
本发明的课题在于提供一种能够防止校正量的计算错误及设定错误且能够在下一批次反映适当的校正量的单晶制造系统及单晶制造方法。单晶制造系统(1)具备:单晶提拉装置(10),在利用CZ法进行的单晶的提拉工序中求出单晶的直径测量值,使用直径校正系数来校正直径测量值,由此,求出单晶的第1直径,根据第1直径控制单晶的直径;直径测量装置(50),在室温下测量单晶提拉装置(10)提拉的单晶的直径,求出单晶的第2直径;及数据库服务器(60),从单晶提拉装置(10)及直径测量装置(50)分别获取第1直径及第2直径并管理。数据库
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