LED外延结构及其制备方法.pdf
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LED外延结构及其制备方法.pdf
本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法,所述LED外延结构从下至上依次包括位于衬底上的底部缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层,所述第二型半导体层从下至上依次包括第二型阻挡层、第二型限制层、应变缓冲层、第二型电流扩展层以及第二型欧姆接触层,且所述应变缓冲层为(Al<base:Sub>x</base:Sub>Ga<base:Sub>1?x</base:Sub>)<base:Sub>0.5</base:Sub>In<base:Sub>0.5</base:Sub>P、GaP和(Al<
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