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本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法,所述LED外延结构从下至上依次包括位于衬底上的底部缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层,所述第二型半导体层从下至上依次包括第二型阻挡层、第二型限制层、应变缓冲层、第二型电流扩展层以及第二型欧姆接触层,且所述应变缓冲层为(AlxGa1?x)0.5In0.5P、GaP和(AlyGa1?y)0.5In0.5P组成的结构层,其中0.10≤x≤0.50,0.05≤y≤0.10。本发明通过生长应变缓冲层可以提高外延结构的晶体质量,进而降低LED器件的工作电压,提高其发光效率。