等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置.pdf

本发明提供一种等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置，能够控制蚀刻率的轮廓，能够抑制因处理容器等被蚀刻而引起的颗粒的产生。每当实施清洁工序(a)，利用使该清洁气体等离子体化得到的等离子体除去附着在处理容器(2)内的附着物；成膜工序(b)，利用使含碳和氟的成膜气体等离子体化得到的等离子体，在处理容器内部的暴露于等离子体的部位形成CF膜；蚀刻工序(c)，将晶片W载置在处理容器内的载置台上，利用使蚀刻气体等离子体化得到的等离子体对晶片W进行蚀刻；和在该蚀刻工序(c)之后将晶片W从处理容器搬出的工序(d

2023-10-22

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等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置.pdf

本发明提供能够抑制由蚀刻形成的线条的粗糙且能够维持在蚀刻后残留的光致抗蚀剂的高度的等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。等离子体蚀刻方法包括堆积工序和蚀刻工序。在堆积工序中，利用含有四氯化硅气体、甲烷气体以及氢气的第1处理气体的等离子体将含有硅和碳的保护层堆积在由基底层和具有规定图案的光致抗蚀剂依次层叠而成的被处理体的光致抗蚀剂上。在蚀刻工序中，将堆积有保护层的光致抗蚀剂作为掩模并利用与第1处理气体不同的第2处理气体的等离子体来对基底层进行蚀刻。

2023-11-22

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等离子体处理装置和蚀刻方法.pdf

本发明提供等离子体处理装置和蚀刻方法，其能够在等离子体处理中适当地控制等离子体中的离子相对于基片的边缘区域的入射角度。等离子体处理装置包括：基片支承体，其包括：下部电极；用于支承基片的基片支承面；和以包围基片的方式配置的边缘环；配置于下部电极的上方的上部电极；电源部，其包括：构成为能够对上部电极或下部电极提供生成源电功率的生成源电源；和至少一个偏置电源，其构成为能够对下部电极提供一个或频率不同的两个以上的偏置电功率；与边缘环电连接的至少一个可变无源元件；和至少一个旁通电路，其将电源部与边缘环电连接，构成为

2023-06-07

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蚀刻方法和蚀刻装置.pdf

本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。在基板的面内均匀性较高地对含硅膜进行蚀刻。向在表面形成有含硅膜(13)的基板(W)供给七氟化碘气体和碱性气体，来对该含硅膜(13)进行蚀刻。通过这样的处理，能够在基板的面内均匀性较高地蚀刻。并且，在对基板(W)以残留含硅膜(13)的方式进行蚀刻的情况下，能提高所残留的含硅膜的表面的平坦性。

2023-11-15

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减少微负载的等离子体蚀刻方法.pdf

公开一种产生电子器件中的多个蚀刻特征的方法，该方法可以避免微负载问题从而保持更均匀的侧壁轮廓和更均匀的临界尺寸。该方法包含在等离子体室中执行第一时分等离子体蚀刻工艺步骤以将该多个蚀刻特征蚀刻到第一深度，以及执行闪蒸工艺步骤以从该多个蚀刻特征的暴露表面除去任意聚合物而不需要氧化步骤。该闪蒸工艺步骤是独立于该时分等离子体蚀刻步骤执行的。在该等离子体室中执行第二时分等离子体蚀刻工艺步骤以将该多个蚀刻特征蚀刻到第二深度。可以重复该方法直到达到需要的蚀刻深度。

2023-10-21

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