

一种Mg扩散增强型GaN基HEMT器件及其制备方法和应用.pdf
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一种Mg扩散增强型GaN基HEMT器件及其制备方法和应用.pdf
本发明公开了一种Mg扩散增强型GaN基HEMT器件及其制备方法和应用。本发明的Mg扩散增强型GaN基HEMT器件的组成包括衬底、GaN沟道层、超晶格结构层、P型Mg离子扩散势垒层、SiO<base:Sub>2</base:Sub>栅绝缘层、源金属电极、漏金属电极和栅金属电极,超晶格结构层由至少2个Al<base:Sub>x</base:Sub>Ga<base:Sub>1?x</base:Sub>N层和至少2个Al<base:Sub>y</base:Sub>Ga<base:Sub>1?y</base:Sub
增强型GaN基MIS-HEMT器件及其制备方法.pdf
本发明涉及一种增强型GaN基MIS‑HEMT器件及其制备方法,该MIS‑HEMT器件中,在薄AlGaN势垒层的基础上设置凹陷状的AlGaN势垒层提高通道迁移率和改善导通电阻,在此基础上,采用电子束蒸发法(EBE)生长掩模层结合SAG方法,与常规工艺中使用的PECVD掩模相比,采用EBE生长掩模完全消除了掩模工艺中的等离子体损伤,使得薄的AlGaN/GaN异质结保留了无损伤的晶格,同时AlGaN薄势垒与凹陷状AlGaN势垒层的Al组分不同,进一步提高了阈值电压和沟道电子迁移率。另外本发明器件中栅极介质层采用
GaN基HEMT器件及其制备方法.pdf
本发明提供一种GaN基HEMT器件及其制备方法,在衬底上先形成外延结构及SiN钝化保护层,而后形成源极区及漏极区,及对应的源电极及漏电极,之后去除SiN钝化保护层,并进行表面清洗后,再采用原子层沉积及等离子退火工艺形成单晶AlN势垒层,以调制GaN沟道内二维电子气,同时在AlGaN势垒层内形成区域性薄层附属沟道,以提高器件整体线性度,且在同一沉积腔内采用原子层沉积在单晶AlN势垒层上形成非晶AlN钝化保护层,由于采用连续原位原子层沉积单晶和非晶AlN层,可以提高晶体/非晶AlN的界面质量,以优化器件Pul
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本申请公开了一种GaN基HEMT器件及其制备方法,包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、帽层、源极、栅极和漏极,由于该GaN基HEMT器件在制备过程中应用H等离子体处理技术将帽层制备成高阻态,以优化该GaN基HEMT器件的内部电场分布,降低了表面陷阱对器件性能的影响。
一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法.pdf
本发明公开了一种增强型AlGaN/GaNHEMT器件及制备方法。该器件包括自下而上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN沟道层、势垒层、组分渐变InGaN帽层和钝化层;组分渐变InGaN帽层厚度小于等于300nm,帽层内不进行掺杂,帽层中的In组分沿材料生长方向自下而上由0渐变增长至x,其中0<x≤1。本发明采用极化掺杂技术,将传统的p型GaN帽层替换为渐变组分InGaN帽层,在无需杂质掺杂的情况下实现了p型掺杂,避免了杂质掺杂引入的栅区域可靠性问题,显著提升了器件的正向栅极耐压,可应用于高频功率开关电