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一种铝基超导电路中叠层刻蚀的侧壁陡直性实现方法.pdf

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本发明提供一种铝基超导电路中叠层刻蚀的侧壁陡直性实现方法,包括以下步骤:(1)光刻胶图形化;(2)刻蚀开口暴露的铝金属层,开口暴露出介质层;(3)采用原子层沉积法在光刻胶层上表面、开口侧壁以及开口底面上沉积氧化硅层;(4)刻蚀步骤(3)中光刻胶层上表面以及开口底面上的氧化硅层;(5)刻蚀开口侧壁的氧化硅层以及开口暴露的介质层;(6)依次循环重复步骤(3)、步骤(4)、步骤(2)、步骤(5),直至将开口暴露的铝金属层和介质层均刻蚀掉,暴露出衬底,最后去除光刻胶层。采用本发明的方法,可以解决铝基超导电路中金属和非金属叠层刻蚀出现的台阶问题,实现侧壁陡直性。