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本实用新型专利提供了一种改善硅片厚度均匀性的单片石墨盘,该单片石墨盘的圆形凹陷区域设置具有坡度的斜面,所述斜面表面加工若干条状凹槽,所述凹槽用于硅片装载过程中石墨盘与硅片下表面空间内的气体流动,且不影响硅片外延后的背面质量。故本设计方案可将硅片与石墨盘的接触方式由面接触改为线接触,有效地避免硅片装载时因石墨盘与硅片之间的气体流动导致的硅片相对石墨盘出现轻微滑动的现象,进而达到提升硅片厚度均匀性的目的。