

一种改善硅片厚度均匀性的单片石墨盘.pdf
书生****12
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一种改善硅片厚度均匀性的单片石墨盘.pdf
本实用新型专利提供了一种改善硅片厚度均匀性的单片石墨盘,该单片石墨盘的圆形凹陷区域设置具有坡度的斜面,所述斜面表面加工若干条状凹槽,所述凹槽用于硅片装载过程中石墨盘与硅片下表面空间内的气体流动,且不影响硅片外延后的背面质量。故本设计方案可将硅片与石墨盘的接触方式由面接触改为线接触,有效地避免硅片装载时因石墨盘与硅片之间的气体流动导致的硅片相对石墨盘出现轻微滑动的现象,进而达到提升硅片厚度均匀性的目的。
一种提高硅片切割厚度均匀性的方法.pdf
本发明公开了一种提高硅片切割厚度均匀性的方法,包括:(1)导轮涂覆和开槽:导轮涂覆时,在导轮涂层反涂树脂胶中添加碳化硅粉,并开V型槽;(2)粘棒:用AB胶将晶托、树脂板和硅棒粘接在一起;(3)切割:将粘好的硅棒放到线切机中进行切割,切割前采用斜线网方式布网;切割过程中,将添加了硅粉分散剂的水溶液引流至切割面;(4)切割完成,脱胶清洗硅片。本发明简单有效,可以明显提高硅片切割厚度的均匀性。
一种抛光改善晶圆厚度均匀性的方法.pdf
本发明公开了一种抛光改善晶圆厚度均匀性的方法,包括:保持抛光头不同位置的压力值相同,对待抛光晶圆表面进行第一次抛光处理,得到第一抛光晶圆;对第一抛光晶圆的表面进行厚度测量,得到第一抛光晶圆的整体厚度分布数据;通过第一抛光晶圆的整体厚度分布数据,提取第一抛光晶圆中局部厚度较大的区域作为修正区;通过第一抛光晶圆的修正区设置对应的修正垫,修正垫设置于第一抛光晶圆的修正区对应的第一抛光晶圆的背表面上,或设置于对应的所述抛光头中的气囊膜上;保持抛光头不同位置的压力值相同,对第一抛光晶圆进行第二次抛光处理,得到满足合
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本发明提供了一种改善HCD氮化硅片均匀性的方法,其形成HCD氮化硅片的各步骤包括:在反应腔室中通入氨气、继续通入氨气、通入HCD、成膜、再次通入氨气、排出残留气体以及通入氮气;通过在成膜时逐渐降低反应腔室的温度,以此来降低产品边缘部分的成膜速率,降低产品中心与边缘的厚度差异,从而改善产品上的Spacer2?HCD氮化硅片的均匀性,最终达到改善器件的饱和驱动电流均匀性的效果。
一种单片炉外延层厚度均匀性生长的控制方法.pdf
本发明涉及一种单片炉外延层厚度均匀性生长的控制方法,包括以下步骤:将上部石英圆盖的内表面制作成倾斜面;将上部石英圆盖安装在基座上,上部石英圆盖的倾斜面沿气流方向安装,即越离气流末尾的位置上部石英圆盖离基座越近;通入反应气体,反应气体通过硅片时在硅片上沉积下硅,形成外延。本发明解决沿着气流方向硅源浓度越来越少导致生长速率不断下降的问题,消除了外延层厚度沿硅片径向分布成特殊的“W”形,极大提高外延片产品质量。