一种基于CVR和CVD的石墨表面碳化硅涂层的制备方法.pdf
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一种基于CVR和CVD的石墨表面碳化硅涂层的制备方法.pdf
本发明公开了一种基于CVR和CVD的石墨表面碳化硅涂层的制备方法,涉及石墨表面碳化硅涂层技术领域;而本发明包括以下步骤:S1:将氯铂酸粉末和无水乙醇倒入到搅拌装置内部,将氯铂酸粉末溶解在无水乙醇中,制备催化剂溶液;S2:将固体硅料溶液和催化剂溶液倒入到搅拌装置内部并混合搅拌,获得混合溶液;切割刀片组与搅拌叶组更换初始位置,固定传动机构、功能切换机构和功能移动机构之间的配合,使得切割刀片组与搅拌叶组可以快速切换,方便使用者在搅拌前,可以将粉料结块快速粉碎,方便后期进行混合搅拌,大大提升工作效率。
一种在石墨表面制备碳化硅涂层的方法.pdf
本发明公开了一种在石墨表面制备碳化硅涂层的方法,该方法为:一、将装有固体硅料的石墨坩埚置于高温石墨化炉内,将石墨基体置于石墨坩埚内的石墨支架上,利用硅蒸气和石墨基体表面的碳直接反应生成一层碳化硅涂层;二、将表面生成碳化硅涂层的石墨基体置于化学气相沉积炉内,在石墨基体表面的碳化硅涂层表面裂解生成一层CVD(化学气相沉积)碳化硅涂层。本发明通过加热固体硅料形成的硅蒸气与石墨基体表层碳直接反应,原位形成的CVR(化学气相反应)碳化硅涂层牢固地结合在石墨基体上,提高了结合强度;然后利用CVD工艺在CVR碳化硅涂层
一种石墨表面碳化硅涂层的方法.pdf
本发明公开了一种石墨表面碳化硅涂层的方法,其包括:取99.99%的石墨材料与硅烷按1比1的重量比例混合,制成石墨硅烷混合材料,然后按:炉预处理,通电升温,二次升温、保温,三次升温、保温,四次升温、保温和降温进行;其中炉预处理充氮气,通电升温过程中充氮气,四次升温、保温过程中充氮气、氢气混合气体。采用该方法处理的石墨炭素材料工件,耐高温可达1600摄氏度以上,有氧状态下2000摄氏度以下不氧化,同时可抗各种酸碱盐的腐蚀。
一种CVD法碳化硅涂层的制备方法.pdf
本发明公开一种CVD法碳化硅涂层的制备方法,包括以下步骤:(1)启动沉积炉的加温箱,使温度达到100‑160℃;(2)将石墨基体放入沉积炉内的转盘上,然后带动石墨基体旋转;(3)对沉积炉内抽真空,再充入氩气;如此循环多次;(4)启动炉腔加热系统,对沉积炉内进行加热,同时对沉积炉内进行抽真空,达到沉积温度后,保温一定时间,再充入氩气,使沉积炉内的压力达到40‑60Kpa,再抽真空;(5)将氢气、氩气以及烷烃通入加温箱中,并通入液态氯硅烷,进而将带有氯硅烷的混合气体通入到沉积炉内;(6)沉积完,停止输送氢气、
石墨基体表面制备碳化硅晶须涂层的方法.pdf
本申请公开了一种石墨基体表面制备碳化硅晶须涂层的方法,包括步骤:(1)、将氯铂酸粉末溶解在无水乙醇中,制备催化剂溶液;(2)、将H‑PSO溶液和催化剂溶液混合搅拌,获得混合溶液;(3)、将石墨基体浸渍在混合溶液中,然后进行交联反应;(4)、将交联产物置于高温管式炉中进行高温反应;(5)、通过浮选法去除未反应的活性炭和碳化硅颗粒,在石墨基体表面得到碳化硅晶须涂层。本发明所获得的碳化硅晶须涂层表现出良好的高温抗氧化性能,在氧化过程中,涂层表面微孔能够愈合。