光电子半导体器件及运行光电子半导体器件的方法.pdf
又珊****ck
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相关资料
光电子半导体器件及运行光电子半导体器件的方法.pdf
说明了一种光电子半导体器件(1),具有光电子半导体芯片(2)和具有基质材料(31)的封装(3),其中所述半导体芯片嵌入所述封装中,以及其中所述封装被构造为使得在所述光电子半导体器件的运行时形成完全布置在所述封装内的空腔(5)。此外说明了一种用于运行半导体器件的方法。
用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件.pdf
说明了一种用于制造光电子半导体器件(1)的方法,具有以下步骤:A)提供布置在载体(50)上的多个半导体芯片(10),B)在所述半导体芯片(10)的背离所述载体(50)的侧上布置辅助载体(60),C)去除所述载体(50),D)将所述半导体芯片(10)之间的所述辅助载体(60)分离成辅助载体芯片单元(2),每个辅助载体芯片单元具有至少一个半导体芯片(10)和与所述半导体芯片邻接的辅助载体部分(61),E)将所述辅助载体芯片单元(2)分别布置在连接载体(30)上,以及F)从每个辅助载体芯片单元(2)去除各自的辅
用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件.pdf
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光电子半导体器件,光电子半导体设备,用于运行光电子半导体器件的方法和生物传感器.pdf
一种光电子半导体器件(10),其具有半导体层堆(109),在所述半导体层堆中,表面发射激光二极管(103)以及光电探测器(105)竖直地上下相叠地设置。光电子半导体器件(10)此外也具有电流源(149),所述电流源适合于改变注入到表面发射激光二极管中的电流强度,由此发射波长可改变。
光电子半导体器件.pdf
公开了一种光电子半导体器件,其具有适于发射辐射的有源层(4),该有源层被包覆层(3a,3b)包围,其中包覆层(3a,3b)和/或有源层(4)具有含铟的磷化物半导体材料并且磷化物半导体材料包含元素Sb或Bi中的至少一种作为第V主族的附加元素。此外,还公开了一种光电子半导体器件,其具有适于发射辐射的有源层(4),其中有源层具有含铟的氮化物半导体材料并且氮化物半导体材料包含元素As、Sb或Bi中的至少一种作为第V主族的附加元素。