光电子半导体器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102272952A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102272952A(43)申请公布日2011.12.07(21)申请号201080004438.7(51)Int.Cl.(22)申请日2010.01.05H01L33/00(2006.01)H01L33/30(2006.01)(30)优先权数据H01L33/32(2006.01)102009004895.22009.01.16DEH01S5/323(2006.01)(85)PCT申请进入国家阶段日2011.07.12(86)PCT申请的申请数据PCT/EP2010/0500392010.01.05(87)PCT申请的公布数据WO2010/081754DE2010.07.22(71)申请人欧司朗光电半导体有限公司地址德国雷根斯堡(72)发明人亚历山大·贝雷斯马蒂亚斯·扎巴蒂尔(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人蔡胜有吴鹏章权利要求书1页说明书6页附图1页(54)发明名称光电子半导体器件(57)摘要公开了一种光电子半导体器件，其具有适于发射辐射的有源层(4)，该有源层被包覆层(3a，3b)包围，其中包覆层(3a，3b)和/或有源层(4)具有含铟的磷化物半导体材料并且磷化物半导体材料包含元素Sb或Bi中的至少一种作为第V主族的附加元素。此外，还公开了一种光电子半导体器件，其具有适于发射辐射的有源层(4)，其中有源层具有含铟的氮化物半导体材料并且氮化物半导体材料包含元素As、Sb或Bi中的至少一种作为第V主族的附加元素。CN102795ACCNN110227295202272962A权利要求书1/1页1.一种光电子半导体器件，其具有适于发射辐射的有源层(4)，所述有源层由包覆层(3a，3b)包围，其中所述包覆层(3a，3b)和/或有源层(4)具有含铟的磷化物半导体材料并且所述磷化物半导体材料包含元素Bi或Sb中的至少一种作为第V主族的附加元素。2.根据权利要求1所述的光电子半导体器件，其中所述包覆层(3a，3b)包含Bi和/或Sb。3.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件，其中所述有源层(4)既不包含Bi也不包含Sb。4.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件，其中所述有源层(4)包含Bi和/或Sb。5.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件，其中所述磷化物半导体材料具有组成InxGayAl1-x-yP1-zSbz，其中0＜x≤1，0≤y≤1，x+y≤1且0＜z＜1。6.根据权利要求1至4之一所述的光电子半导体器件，其中所述磷化物半导体材料具有组成InxGayAl1-x-yP1-zBiz，其中0＜x≤1，0≤y≤1，x+y≤1且0＜z＜1。7.根据权利要求5或6所述的光电子半导体器件，其中0＜z≤0.03。8.根据权利要求5至7之一所述的光电子半导体器件，其中0.3≤x≤0.7。9.一种光电子半导体器件，其具有有源层(4)，所述有源层具有含铟的氮化物半导体材料，其中所述有源层(4)的氮化物半导体材料包含元素As、Bi或Sb中的至少一种作为第V主族的附加元素。10.根据权利要求9所述的光电子半导体器件，其中所述氮化物半导体材料具有组成InxGayAl1-x-yN1-zAsz，其中0＜x≤1，0≤y≤1，x+y≤1且0＜z＜1。11.根据权利要求9所述的光电子半导体器件，其中所述氮化物半导体材料具有组成InxGayAl1-x-yN1-zSbz，其中0＜x≤1，0≤y≤1，x+y≤1且0＜z＜1。12.根据权利要求9所述的光电子半导体器件，其中所述氮化物半导体材料具有组成InxGayAl1-x-yN1-zBiz，其中0＜x≤1，0≤y＜1，x+y≤1且0＜z＜1。13.根据权利要求10至12之一所述的光电子半导体器件，其中0＜z≤0.03。14.根据权利要求10至13之一所述的光电子半导体器件，其中x≥0.1。15.根据权利要求14所述的光电子半导体器件，其中x≥0.2。2CCNN110227295202272962A说明书1/6页光电子半导体器件[0001]本发明涉及一种光电子半导体器件，尤其是LED，其具有包含铟的磷化物半导体材料或氮化物半导体材料。[0002]本专利申请要求德国专利申请102009004895.2的优先权，其公开内容通过引用结合于此。[0003]在用于通常基于InGaAlN或InGaAlP的光电子器件的半导体层的外延制造中，在优化的工艺条件下通常出现不期望的效果。[0004]在由InGaAlN构成的外延半导体层中可以形成富铟区域，所谓的簇。在簇的区域中形成可导致形成晶体缺陷的高的局部应力，其作为非发射复合的中心而降低LED的效率。即使只形成小的不致形成晶体缺陷的簇，通过由于在