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本发明公开了柔性GaSb薄膜制备方法,其技术方案要点是:柔性GaSb薄膜制备方法,包括如下步骤:步骤1:GaSb晶圆端面注入Al离子;步骤2:GaSb晶圆端部注入O离子,O离子与Al离子深度一致;步骤3:GaSb晶圆侧壁注入Al离子;步骤4:GaSb晶圆注入Al离子一侧侧壁位置注入O离子,O离子与步骤3所注入的Al离子位置一致;步骤5:将GaSb晶圆通过退火炉高温退火;步骤6:将柔性基底粘附在GaSb晶圆的离子注入面;步骤7:将GaSb晶圆表层撕下,由在GaSb晶圆侧壁注入Al离子及O离子位置作为起始点撕裂,形成GaSb薄膜。本发明实现在GaSb晶圆内部及侧壁位置形成一层氧化脆性层,并以侧壁位置的氧化脆性层为撕扯开裂的发起点,将GaSb薄膜从GaSb晶圆撕下,完成制备GaSb薄膜。