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本实用新型涉及一种超结半导体器件。所述超结半导体器件具有第一掺杂类型的衬底、位于所述衬底上且具有第一掺杂类型的外延层以及在所述外延层内纵向延伸且具有第二掺杂类型的柱状结构,所述柱状结构包括纵向叠加的M个第二掺杂类型区,至少两个相邻的所述第二掺杂类型区的纵轴线之间具有偏移,M为大于1的整数。该偏移一方面有助于增加超结半导体器件中P柱和N柱之间的PN结电容,有效抑制超结半导体器件在关断过程中的电压变化速度,改善器件的抗EMI性能,另一方面实现了对超结半导体器件的PN结电容的可调节性,便于获得适用于实际电路的最佳结电容值。