一种固定结构、静电装置及其制作方法.pdf
一吃****昕靓
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一种固定结构、静电装置及其制作方法.pdf
本发明提供一种固定结构,所述固定结构包括两个固定柱(1)和设置在两个所述固定柱(1)之间的连接架(2),其中,两个所述固定柱(1)的上端分别与所述连接架(2)的两端固定,所述固定柱(1)的下端用于与静电装置的呈中空腔的吸附极(7)进行固定。此外本发明还提供了一种静电装置及其制作方法。本发明具有结构简单、可从外部实现快速装配、实现工况的个别调试、提高了放电极与吸附极之间的高精度同轴安装的特点。
一种固定结构及静电装置.pdf
本实用新型提供一种固定结构及静电装置,所述固定结构包括两个固定柱(1)和设置在两个所述固定柱(1)之间的连接架(2),其中,两个所述固定柱(1)的上端分别与所述连接架(2)的两端固定,所述固定柱(1)的下端用于与静电装置的呈中空腔的吸附极(7)进行固定。此外本实用新型还提供了一种静电装置。本实用新型具有结构简单、可从外部实现快速装配、实现工况的个别调试、提高了放电极与吸附极之间的高精度同轴安装的特点。
一种静电放电保护结构及其制作方法.pdf
本发明提供一种静电放电保护结构及其制作方法,该静电放电保护结构包括空闲区域、放电元件区域及衬底接触部,其中,放电元件区域环绕空闲区域的四周,放电元件区域中设有多个并联连接的NMOS晶体管,衬底接触部环绕放电元件区域四周。本发明的静电放电保护结构删除了中心衬底电阻最大的NMOS晶体管,只保留周围的NMOS晶体管,这些保留的NMOS晶体管的衬底电阻相差不多,可以实现静电放电保护结构中所有NMOS晶体管均匀导通放电,大大提高静电放电保护结构的整体保护能力。
一种集成静电防护的HEMT结构及其制作方法.pdf
本发明公开了一种集成静电防护的HEMT结构及其制作方法,是在HEMT外延结构上形成ESD外延结构,其中ESD外延结构顶部具有附加层,通过蚀刻和隔离形成HEMT器件区域和ESD器件区域后,同步沉积金属于HEMT区域制作源极金属、漏极金属,于ESD区域制作第一电极;然后同步蚀刻附加层和HEMT外延结构的帽层形成开口,同步沉积金属于附加层的开口制作第二电极,于帽层的开口制作栅极金属。本发明减少了需要光刻制程的电极制作工序,降低产能占用,缩短生产周期。
一种封装结构、显示装置及其制作方法.pdf
本发明提供一种封装结构,包括:薄膜封装层,其中,薄膜封装层包括至少一层无机层和至少一层钝化层;钝化层包含含有卤族元素的非晶态固体氧化物薄膜。钝化层包括第一活性薄膜层和第二活性薄膜层,第一活性薄膜层和第二活性薄膜层的氧原子与卤族元素原子的摩尔比不同。第一活性薄膜表面活性能降低,因而具有更低的热膨胀系数和更佳的表面黏着能力。钝化层中的第二活性薄膜层相对于第一活性薄膜层氧含量更高,游离氧的引入使得第一活性薄膜层化学结构更加的紧实无缺陷,因而获得极佳的阻隔水氧的效果。