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一种单晶硅片退火冷却车.pdf
2023-05-09
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星菱****23
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一种单晶硅片退火冷却车,包括车体(1),所述的车体(1)上设置有若干硅片放置层(2),所述的硅片放置层(2)高度与单晶硅片炉体的炉管高度一致,所述的硅片放置层(2)上设置有与炉管对应的凹槽(3);所述的车体(1)顶部安装有风扇(4),所述的车体(1)底部安装有脚轮(5)。方便出炉硅片拖拽,降温迅速,且待单晶硅片冷却后可随时运走物料;操作方便、简单,保证人员的安全和退火质量。
2023-05-09
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本发明公开了一种单晶硅片的退火方法。包括：a、启动退火炉，并充入保护气体，将温度升至740～760℃，保温25～35分钟，放入单晶硅片，再次在740～760℃下，保温10～40分钟；b、将退火炉的温度降至640～660℃，保温10～40分钟；c、将单晶硅片迅速移出所述退火炉外，放入风淋机构中，一侧送风，一侧出风，送风口设有冷凝机组对进风降温，由风机将冷空气吹向单晶硅片，风速为3～7m/s，空气温度为10～16℃，将单晶硅片放置在中间的风道上，并且让冷风从侧面吹过上下平面，保证两侧均匀，在3～5min内，将
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本发明提供了一种PERC单晶电池用硅片的退火方法及PERC单晶电池用硅片与应用，所述退火方法包括以下步骤：(1)第一绝对压力下送入硅片，并通入氮气吹扫；(2)抽真空至第二绝对压力，并通入氮气吹扫；(3)保持第三绝对压力，并通入氮气吹扫；(4)保持第四绝对压力，停止通入氮气，进行检漏；(5)保持第五绝对压力，通入氧气氧化，同时通入氮气吹扫；(6)第六绝对压力下取出硅片，并通入氮气吹扫；其中，步骤(1)至步骤(6)均在660‑700℃的恒温下进行。所述退火方法改善了PERC单晶电池用硅片的亲水性，同时有效去除
2023-11-10
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