等离子体处理方法和等离子体处理系统.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115881505A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202211193061.5(22)申请日2022.09.28(30)优先权数据2021-1586972021.09.29JP2022-1523722022.09.26JP(71)申请人东京毅力科创株式会社地址日本东京都(72)发明人本川究理箕浦佑也近江宗行田中康基永井龙白滨畅彦(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277专利代理师刘新宇(51)Int.Cl.H01J37/32(2006.01)H01L21/3065(2006.01)权利要求书2页说明书14页附图5页(54)发明名称等离子体处理方法和等离子体处理系统(57)摘要本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统，在等离子体处理前适当地对腔室的内部的构件的表面进行预涂布。等离子体处理方法包含以下工序：工序(a)，利用包含不含卤素的前体气体的第一处理气体对腔室的内部的构件的表面形成第一保护膜；以及工序(b)，在对所述构件的表面形成所述第一保护膜之后，利用第二处理气体的等离子体对被搬入到所述腔室的内部的处理对象体进行等离子体处理。CN115881505ACN115881505A权利要求书1/2页1.一种等离子体处理方法，包括：工序(a)，利用包含不含卤素的前体气体的第一处理气体对腔室的内部的构件的表面形成第一保护膜；以及工序(b)，在对所述构件的表面形成所述第一保护膜之后，利用第二处理气体的等离子体对被搬入到所述腔室的内部的处理对象体进行等离子体处理。2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，还包括：工序(c)，在将被进行了所述等离子体处理的所述处理对象体搬出到所述腔室的外部之后，利用包含能够去除所述第一保护膜的气体的第三处理气体的等离子体来从所述构件的表面去除所述第一保护膜。3.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其特征在于，在所述工序(a)中形成的所述第一保护膜的膜厚比在所述工序(c)中向所述第一保护膜照射了利用所述等离子体生成的离子时所述离子侵入所述第一保护膜的深度厚。4.根据权利要求2或3所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述前体气体是烃气体，能够去除所述第一保护膜的气体是含氧气体。5.根据权利要求2或3所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述前体气体是含硅气体，能够去除所述第一保护膜的气体是含卤气体。6.根据权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于，在所述工序(a)之后且所述工序(b)之前还包括工序(d)，在所述工序(d)中，利用种类与所述第二处理气体的种类相同的第四处理气体的等离子体在所述第一保护膜上形成第二保护膜。7.根据权利要求6所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述工序(d)中的工艺条件与所述工序(b)中的最初的工艺条件相同。8.一种等离子体处理系统，具有：腔室，其用于对处理对象体进行等离子体处理；气体供给部，其向所述腔室的内部供给处理气体；等离子体生成部，其在所述腔室的内部从所述处理气体生成等离子体；以及控制部，其中，所述控制部控制所述气体供给部和所述等离子体生成部，以执行以下工序：工序(a)，利用包含不含卤素的前体气体的第一处理气体对腔室的内部的构件的表面形成第一保护膜；以及工序(b)，在对所述构件的表面形成所述第一保护膜之后，利用第二处理气体的等离子体对被搬入到所述腔室的内部的处理对象体进行等离子体处理。9.根据权利要求8所述的等离子体处理系统，其特征在于，所述控制部控制所述气体供给部和所述等离子体生成部，以进一步执行以下工序：工序(c)，在将被进行了所述等离子体处理的所述处理对象体搬出到所述腔室的外部之后，利用包含能够去除所述第一保护膜的气体的第三处理气体的等离子体来从所述构件的表面去除所述第一保护膜。2CN115881505A权利要求书2/2页10.根据权利要求9所述的等离子体处理系统，其特征在于，所述控制部控制所述气体供给部和所述等离子体生成部，以使在所述工序(a)中形成的所述第一保护膜的膜厚比在所述工序(c)中向所述第一保护膜照射了利用所述等离子体生成的离子时所述离子侵入所述第一保护膜的深度厚。11.根据权利要求9或10所述的等离子体处理系统，其特征在于，所述前体气体是烃气体，能够去除所述第一保护膜的气体是含氧气体。12.根据权利要求9或10所述的等离子体处理系统，其特征在于，所述前体气体是含硅气体，能够去除所述第一保护膜的气体是含卤气体。13.根据权利要求8或9所述的等离子体处理系统，其特征在于，所述控制部控制所述气体供给部和所述等离子体生成部，以进一步在所述工序(a)之后且所述工序(b)之前执行工序(d)，在所述工序(d)中，利用种类与所述第二处理