Au肖特基接触特性研究的开题报告.docx

GaN基Ni/Au肖特基接触特性研究的开题报告1.选题背景和意义随着半导体技术的快速发展，研究新型半导体器件的需求也越来越迫切。GaN作为一种新兴半导体材料，具有宽的能隙、高电子迁移率和高热稳定性等优良特性，因此受到了广泛关注。其中，GaN基Ni/Au肖特基接触是制备高功率微波器件和高亮度发光二极管(LED)的重要组成部分。目前对于GaN基Ni/Au肖特基接触的研究较少，尤其是在高温高功率条件下的稳定性和可靠性方面。因此，本研究旨在通过对GaN基Ni/Au肖特基接触特性的深入研究，探究其中的物理机制，为高功率半导体器件的制备提供参考。2.研究内容和方法研究内容：(1)GAN基Ni/Au肖特基接触的制备方法；(2)接触界面的形貌和微结构分析；(3)接触电学特性的表征和分析，包括I-V和C-V特性的测量等；(4)热稳定性和高功率下的稳定性测试。研究方法：利用化学气相沉积技术制备GaN基Ni/Au肖特基接触，并通过扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对接触界面的形貌和微结构进行表征。接着利用四探针测试系统对接触电学特性进行测量，并分析其I-V和C-V特性。最后，将样品放置于高温高功率条件下进行稳定性测试。3.研究预期成果通过对GaN基Ni/Au肖特基接触特性的系统分析和探究，本研究预期能够：(1)确定Ni/Au金属的适宜沉积温度和厚度；(2)揭示接触界面的微观结构和形貌；(3)分析接触电学特性，并找出电流密度与电压之间的关系；(4)研究高温高功率条件下接触特性的热稳定性和可靠性。本研究的成果将对GaN材料在高功率半导体器件和LED中的应用提供参考，并对相关的理论和技术研究产生积极的推动作用。