多晶硅研究系列2:多晶硅生产成本的构成与控制.doc
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多晶硅研究系列2:多晶硅生产成本的构成与控制.doc
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多晶硅表面菜花控制的研究.docx
多晶硅表面菜花控制的研究标题:多晶硅表面菜花控制的研究摘要:多晶硅是太阳能电池的重要材料,其表面缺陷问题严重影响了太阳能电池的转化效率。菜花是其中一种常见的缺陷形态,本论文通过研究多晶硅表面菜花的控制方法,旨在提出有效的解决方案,改善太阳能电池的性能。实验发现,多晶硅表面菜花的形成与光照、温度等因素紧密相关。文中通过调控这些因素,并实施特定处理措施,成功降低了多晶硅表面的菜花密度,提高了太阳能电池的转化效率。本研究为多晶硅表面菜花控制提供了重要的理论和实践指导。1.引言多晶硅是太阳能电池的主要材料之一,具
多晶硅(2).docx
多晶硅多晶硅多晶硅,是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。利用价值:从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。多晶硅;polycrystallinesilicon编辑本段性质灰色金属光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和
多晶硅的制造方法、多晶硅的制造装置、和多晶硅.pdf
本发明涉及多晶硅的制造方法,其中,对反应炉内的硅芯棒进行通电而使硅芯棒发热,通过对硅芯棒供给包含氯硅烷类的原料气体,从而在硅芯棒的表面使多晶硅析出,作为棒而生长。该多晶硅的制造方法具有:前半部分工序,在以高压大量地供给原料气体的条件下,通过调整向硅芯棒的电流而将表面温度维持在规定范围中,并且在棒的中心温度达到多晶硅的熔点以下的规定温度之前,一边将每单位表面积的原料气体供给量维持规定范围内,一边供给原料气体;以及后半部分工序,通过设定为与棒直径对应地预先决定的电流值,并且使每单位表面积的氯硅烷类供给量降低,
多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块.pdf
本发明涉及多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块。通过西门子法合成硅多晶棒(S101)。在反应器内从硅多晶棒的上部覆盖清洗了内表面的塑料制袋而将硅多晶棒收容后(S103),将硅多晶棒取出到反应器外(S104),进行热封而在密闭化的状态下保管(S105)。根据本发明,不一定需要清洗、蚀刻、水洗这样的以往被认为必需的工序,因此,能够使残留在表面的氟离子、硝酸根离子、亚硝酸根离子均低于0.2ppbw。另外,通过覆盖塑料制袋,金属污染水平显著地降低。而且,如果进行本发明的操作,则即使长期保管,表面污染也几乎不会加