中微公司专题研究-刻蚀+MOCVD龙头-内生外延协同打造设备平台.docx

中微公司专题研究刻蚀+MOCVD龙头，内生外延协同打造设备平台一、刻蚀+MOCVD龙头，技术驱动对标前沿科技1.1专注高端半导体设备国内领先、世界排名前列的半导体高端设备制造商。公司自成立以来主要从事半导体设备的研发、生产和销售。公司以中国为基地，为全世界提供高端半导体微观加工设备。主营业务为开发大型真空微观器件工艺设备，主要产品是刻蚀设备和MOCVD。刻蚀机用于半导体制程，客户涵盖台积电、中芯国际、海力士、华力微、联华电子、长江存储等；MOCVD用于LED外延片制程，客户涵盖三安光电、华灿光电、乾照光电等。技术更新迭代贯穿公司发展的各个阶段。公司2004年在张江高科科技园区启动运营，以瞄准世界科技前沿，坚持自主创新为理念，不断推出先进半导体设备产品。2007年，公司推出首台CCP刻蚀设备，2012年，首台MOCVD设备产品PrismoD-Blue研制成功，2018年开始改进PrimoAD-RIE并进入5nm生产线。公司产品在国际具有较高认可度，2019年5月，中微公司在全球晶圆制造设备供应商中排名第三，在十大芯片制造设备专业型供应商和专用芯片制造设备供应商中均位列第二。中微公司已经连续两年成为其中唯一一家中国本土的半导体设备公司。内生外延，高端半导体制程新版图未来可期。目前，公司从三个维度对业务进行拓展布局规划：1）刻蚀设备领域作为核心竞争力，向薄膜、检测等关键设备领域扩展；2）扩展在泛半导体领域设备的应用；3）持续关注其他新兴领域，考虑从设备制造向器件大规模生产，探索如环保设备及工业物联网设备等领域的市场机会。技术驱动，专业认可度业内领先。公司两大主营业务刻蚀设备和MOCVD设备是半导体制造的核心工艺。薄膜沉积工艺是在晶圆上沉积一层待处理的薄膜，通过匀胶工艺把光刻胶涂抹在薄膜上，光刻和显影工艺随后把光罩上的图形转移到光刻胶，刻蚀工艺将光刻胶上图形转移到薄膜，去除光刻胶后，即完成图形从光罩到晶圆的转移。整个芯片制造流程需要数十次光罩，循环使用薄膜沉积、光刻和刻蚀三大工艺来将所有光罩的图形逐层转移到晶圆上。等离子体刻蚀设备分为电容性等离子体刻蚀设备和电感性等离体刻蚀设备。电容性等离子体刻蚀设备主要用于刻蚀氧化物、氮化物等硬度高、需要高能量离子反应刻蚀的介质材料。电感性等离子体刻蚀设备主要用于刻蚀单晶硅、多晶硅等材料。中微刻蚀产品线逐步成熟，从CCP向ICP快速开拓。（1）CCP刻蚀设备：公司CCP刻蚀设备批量应用于国内外一线客户从65nm到5nm集成电路制造产线，其中在先进逻辑电路方面，公司已取得5nm及以下逻辑电路产线的重复订单；在存储领域，公司蚀刻设备已广泛用于64层及128层3DNAND产线，并正在积极布局DRAM应用的工艺开发及验证。（2）ICP刻蚀设备ICP刻蚀设备Primonanova®是中微公司2018年正式发布的第一代电感耦合等离子体刻蚀设备。目前，中微公司Primonanova®产品已成功进入海内外十余家客户的晶圆产线，在领先的逻辑芯片、DRAM和3DNAND厂商的生产线上实现大规模量产，2021年6月10日公司第100台反应腔顺利交付。目前，公司研发的具有高输出率特点的双反应台ICP刻蚀设备PrimoTwin-Star®也已经在客户端完成认证，公司刻蚀设备产品种类不断完善，竞争力持续提升。公司的刻蚀设备产品具有行业竞争优势，正逐步打破国际垄断。公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户65nm到5nm等先进的芯片产线上；公司已开发出小于5nm刻蚀设备用于若干关键步骤的加工，并已获得行业领先客户的批量订单。公司正开发新一代刻蚀设备和包括更先进大马士革在内的刻蚀工艺，能够涵盖5nm以下更多刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。在ICP方面，公司正在进行下一代产品的技术研发，满足5nm以下逻辑芯片、1X纳米的DRAM芯片和128层以上3DNAND芯片的ICP刻蚀需求。MOCVD设备将超纯气体注入反应器中并精细计量以将非常薄的原子层沉积到半导体晶片上。含有所需化学元素的有机化合物或金属有机物和氢化物的表面反应为晶体生长创造条件，形成材料和化合物半导体的外延。PrismoA7：公司的MOCVD设备PrismoA7设备已在全球氮化镓基LEDMOCVD市场中占据领先地位；PrismoHiT3：2020年，公司推出了用于制造深紫外光LED的高温MOCVD设备PrismoHiT3，已在行业领先客户端用于深紫外LED的生产验证并获得重复订单；制造功率器件用MOCVD已在客户芯片生产线上投入试用；PrismoUniMax：2021年6月，公司推出用于MiniLED生产的MOCVD设备PrismoUniMax，并已收到来自国内领先客户的订单。目前，制造MicroLED等应用的新型MOCVD设备正在开发中。公司自主研发的MOCV