隔离器件应用.docx
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具有隔离沟道的FINFET器件.pdf
尽管有FinFET和应变硅器件的改进,晶体管仍然继续随着器件尺度缩减而遭受性能下降。这些性能下降具体包括在半传导沟道与衬底之间的电荷泄漏。隔离沟道FinFET器件通过在沟道(鳍)与衬底之间插入绝缘层来防止沟道到衬底泄漏。绝缘层物理和电隔离鳍与衬底。为了形成隔离FinFET器件,可以在氮化物柱之间从硅表面外延生长双层鳍阵列,这些氮化物柱提供在相邻鳍之间的局部化绝缘。然后可以去除下鳍层而留下上鳍层,因此产生在硅表面上方悬置的氮化物柱和半传导鳍的交错阵列。然后可以用氧化物填充在上鳍层下面的所得间隙以隔离鳍沟道阵