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SiC电子输运的蒙特卡罗模拟沈劲鹏;郭文平;吴恋花;张晨;王勇;陈浩;江建军【期刊名称】《功能材料》【年(卷),期】2007(038)004【摘要】采用了MonteCarlo方法研究了2H-、4H-和6H-SiC的电子输运特性.在模拟中,采用动量弛豫率近似的方法确定散射角,显著压缩散射次数,并用高效的新查表法确定自由飞行时间,相对于阶梯值的自散射方法,完全消除了自散射,大量节省cpu时间.【总页数】4页(P542-545)【作者】沈劲鹏;郭文平;吴恋花;张晨;王勇;陈浩;江建军【作者单位】华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074【正文语种】中文【中图分类】TQ42【相关文献】1.SiC电子输运性质研究及散射率的简化子计算[J],全宏俊;汪秉宏2.掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究[J],王平;杨燕;杨银堂;屈汉章;崔占东;付俊兴3.2H-SiC体材料电子输运特性的EMC研究[J],王平;杨银堂;崔占东;杨燕;付俊兴4.氮等离子体枪中电子输运行为的蒙特卡罗模拟[J],孙凤久;于撼江;张军5.SiC电子输运特性的MonteCarlo数值模拟[J],王平;杨银堂;屈汉章;杨燕;李跃进;贾护军因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买