MOS场效应晶体管基础..ppt
胜利****实阿
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3.1MOS结构M-V+-V+2、耗尽区宽度金属氧化物p型半导体3、栅压4、平带电压5、阈值电压5、阈值电压5、阈值电压6、电荷分布7、MOS电容模型8、理想C-V特性8、理想C-V特性9、非理想效应9、非理想效应3.2MOS场效应晶体管1、MOSFET的结构及工作原理1、MOSFET的结构及工作原理1、MOSFET的结构及工作原理2、电流-电压关系(定性)(小的漏源电压作用)2、电流-电压关系(定性)3、电流-电压关系(定量)3、电流-电压关系(定量)3、电流-电压关系(定量)3、电流-电压关系(定量)
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4.1MOS结构与基本性质4.1.1理想MOS结构与基本性质1.理想MOS二极管的定义与能带1)在外加零偏压时,金属功函数与半导体函数之间没有能量差,或两者的功函数差qφms为零2)在任何偏置条件下,MOS结构中的电荷仅位于半导体之中,而且与邻近氧化层的金属表面电荷数量大小相等,但符号相反。3)氧化膜是一个理想的绝缘体,电阻率为无穷大,在直流偏置条件下,氧化膜中没有电流通过。2.表面势与表面耗尽区在下面的讨论中,定义与费米能级相对应的费米势为而空穴和电子的浓度也可表示为ψ的函数通过以上讨论,以下各区间的表