预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10

亲,该文档总共36页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

3.1MOS结构M-V+-V+2、耗尽区宽度金属氧化物p型半导体3、栅压4、平带电压5、阈值电压5、阈值电压5、阈值电压6、电荷分布7、MOS电容模型8、理想C-V特性8、理想C-V特性9、非理想效应9、非理想效应3.2MOS场效应晶体管1、MOSFET的结构及工作原理1、MOSFET的结构及工作原理1、MOSFET的结构及工作原理2、电流-电压关系(定性) (小的漏源电压作用)2、电流-电压关系(定性)3、电流-电压关系(定量)3、电流-电压关系(定量)3、电流-电压关系(定量)3、电流-电压关系(定量)3、电流-电压关系(定量)3、电流-电压关系(定量)3、电流-电压关系(定量)3、电流-电压关系(定量)3、电流-电压关系(定量)4、小信号等效电路4、小信号等效电路5、频率限制因素与截止频率6、CMOS技术