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《晶圆处理制程介绍》基本晶圆处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗(Cleaning)之后,送到热炉管(Furnace)内,在含氧的环境中,以加热氧化(Oxidation)的方式在晶圆的表面形成一层厚约数百个的二氧化硅层,紧接着厚约1000到2000的氮化硅层将以化学气相沈积ChemicalVaporDeposition;CVP)的方式沈积(Deposition)在刚刚长成的二氧化硅上,然后整个晶圆将进行微影(Lithography)的制程,先在晶圆上上一层光阻(Photoresist),再将光罩上的图案移转到光阻上面。接着利用蚀刻(Etching)技术,将部份未被光阻保护的氮化硅层加以除去,留下的就是所需要的线路图部份。接着以磷为离子源(IonSource),对整片晶圆进行磷原子的植入(IonImplantation),然后再把光阻剂去除(PhotoresistScrip)。制程进行至此,我们已将构成集成电路所需的晶体管及部份的字符线(WordLines),依光罩所提供的设计图案,依次的在晶圆上建立完成,接着进行金属化制程(Metallization),制作金属导线,以便将各个晶体管与组件加以连接,而在每一道步骤加工完后都必须进行一些电性、或是物理特性量测,以检验加工结果是否在规格内(InspectionandMeasurement);如此重复步骤制作第一层、第二层...的电路部份,以在硅晶圆上制造晶体管等其它电子组件;最后所加工完成的产品会被送到电性测试区作电性量测。根据上述制程之需要,FAB厂内通常可分为四大区:1)黄光本区的作用在于利用照相显微缩小的技术,定义出每一层次所需要的电路图,因为采用感光剂易曝光,得在黄色灯光照明区域内工作,所以叫做「黄光区」。2)蚀刻经过黄光定义出我们所需要的电路图,把不要的部份去除掉,此去除的步骤就>称之为蚀刻,因为它好像雕刻,一刀一刀的削去不必要不必要的木屑,完成作品,期间又利用酸液来腐蚀的,所以叫做「蚀刻区」。3)扩散本区的制造过程都在高温中进行,又称为「高温区」,利用高温给予物质能量而产生运动,因为本区的机台大都为一根根的炉管,所以也有人称为「炉管区」,每一根炉管都有不同的作用。4)真空本区机器操作时,机器中都需要抽成真空,所以称之为真空区,真空区的机器多用来作沈积暨离子植入,也就是在Wafer上覆盖一层薄薄的薄膜,所以又称之为「薄膜区」。在真空区中有一站称为晶圆允收区,可接受芯片的测试,针对我们所制造的芯片,其过程是否有缺陷,电性的流通上是否有问题,由工程师根据其经验与电子学上知识做一全程的检测,由某一电性量测值的变异判断某一道相关制程是否发生任何异常。此检测不同于测试区(WaferProbe)的检测,前者是细部的电子特性测试与物理特性测试,后者所做的测试是针对产品的电性功能作检测。《晶柱成长制程》硅晶柱的长成,首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中,并加入预先设定好的金属物质,使产生出来的硅晶柱拥有要求的电性特质,接着需要将所有物质融化后再长成单晶的硅晶柱,以下将对所有晶柱长成制程做介绍。长晶主要程序︰融化(MeltDown)此过程是将置放于石英坩锅内的块状复晶硅加热制高于摄氏1420度的融化温度之上,此阶段中最重要的参数为坩锅的位置与热量的供应,若使用较大的功率来融化复晶硅,石英坩锅的寿命会降低,反之功率太低则融化的过程费时太久,影响整体的产能。颈部成长(NeckGrowth)当硅融浆的温度稳定之后,将<1.0.0>方向的晶种渐渐注入液中,接着将晶种往上拉升,并使直径缩小到一定(约6mm),维持此直径并拉长10-20cm,以消除晶种内的排差(dislocation),此种零排差(dislocation-free)的控制主要为将排差局限在颈部的成长。晶冠成长(CrownGrowth)长完颈部后,慢慢地降低拉速与温度,使颈部的直径逐渐增加到所需的大小。晶体成长(BodyGrowth)利用拉速与温度变化的调整来迟维持固定的晶棒直径,所以坩锅必须不断的上升来维持固定的液面高度,于是由坩锅传到晶棒及液面的辐射热会逐渐增加,此辐射热源将致使固业界面的温度梯度逐渐变小,所以在晶棒成长阶段的拉速必须逐渐地降低,以避免晶棒扭曲的现象产生。尾部成长(TailGrowth)当晶体成长到固定(需要)的长度后,晶棒的直径必须逐渐地缩小,直到与液面分开,此乃避免因热应力造成排差与滑移面现象。《晶柱切片后处理》硅晶柱长成后,整个晶圆的制作才到了一半,接下必须将晶柱做裁切与检测,裁切掉头尾的晶棒将会进行外径研磨、切片等一连串的处理,最后才能成为一片片价值非凡的晶圆,以下将对晶柱的后处理制程做介绍。切片(Slicing)长久以来经援切片都是采用内径锯,其锯片是一环状薄叶片,内径边缘镶有钻石颗粒,晶棒在切片前预先黏贴一