半导体封装制程及其设备介绍-PPT.ppt

半导体封装制程及其设备介绍半导体封装制程概述半导体制程封裝型式(PACKAGE)封裝型式封裝型式封裝型式封裝型式大家应该也有点累了，稍作休息封裝型式AssemblyMainProcess常用术语介绍SMT（表面贴装）

---包括锡膏印刷(Solderpasteprinting),置件(Chipshooting),回流焊(Reflow),DI水清洗(DIwatercleaning),自动光学检查(Automaticopticalinspection),使贴片零件牢固焊接在substrate上DiePrepare(芯片预处理)ToGrindthewafertotargetthicknessthenseparatetosinglechip
---包括来片目检(WaferIncoming),贴膜(WaferTape),磨片(BackGrind),剥膜(Detape),贴片(WaferMount),切割(WaferSaw)等系列工序,使芯片达到工艺所要求的形状,厚度和尺寸,并经过芯片目检(DVI)检测出所有由于芯片生产,分类或处理不当造成的废品.InlineGrinding&Polish--AccretechPG300RM2.Grinding相关材料
ATAPE麦拉
BGrinding砂轮
CWAFERCASSETTLE
工艺对TAPE麦拉的要求：工艺对麦拉的要求：3.Grinding辅助设备

AWaferThicknessMeasurement厚度测量仪
一般有接触式和非接触式光学测量仪两种；
BWaferroughnessMeasurement
粗糙度测量仪
主要为光学反射式粗糙度测量方式；
4.Grinding配套设备

ATaping贴膜机
BDetaping揭膜机
CWaferMounter贴膜机

WaferTaping--NittoDR300IIlWafermount
晶圓切割(Dicing)MainSectionsIntroductionBladeClose-ViewDieSawing–Disco6361AFewConcepts晶圓切割(Dicing)Wmax,Wmin,Lmax,DDY,DY切割時之轉速予切速:
a.轉速:指的是切割刀自身的轉速
b.切速:指的是Wafer移動速度.晶圓切割(Dicing)切割刀的規格
規格就包括
刀刃長度、刀刃寬度、鑽石顆粒大小、濃度及Nickelbondhardness軟硬度的選擇Sawblade对製程的影響
ProperCutDepthIntoTape(切入膠膜的理想深度)切割刀的影響
DiamondGritSize(鑽石顆粒大小)TAPE粘度对SAW製程的影響
MountingTape(膠膜黏力)晶圓切割(Dicing)DieAttach(芯片粘贴)ToattachsingledietoSMTedsubstrate
---把芯片粘贴到已经过表面贴装(SMT)和预烘烤(Pre-bake)后的基片上,或芯片粘贴到芯片上,并经过芯片粘贴后烘烤(DieAttachCure)固化粘结剂.上片(DieBond)DieAttach–HitachiDB700上片(DieBond)上片(DieBond)SubstrateSubstrateBasicInformation上片(DieBond)BCuringOven无氧化烤箱
主要控制要素：
N2流量；排气量；
profile温度曲线；
每箱摆放Magazine数量；CWafermapping应用WireBond(引线键合)DietoPackageInterconnects
Howadieisconnectedtothepackageorboard.
---用金线将芯片上的引线孔和基片上的引脚连接，使芯片能与外部电路相连。在引线键合前需要经过等离子清洗(Pre-BondPlasmaClean)以保证键合质量,在引线键合后需要经过内部目检(IVI),检测出所有芯片预处理,芯片粘贴和引线键合产生的废品.WireBond–K&SUltra焊线(WireBond)焊线(WireBond)HowToDesignYourCapillary焊线(WireBond)BallSize等离子工艺PlasmaProcessPlasmaClean–MarchAP1000Mold(模塑)
Tomoldstripwithplasticcompoundthenprotectthechiptopreventfromdamaged

--塑封元件的线路，以保护元件免受外力损坏，同时加强元件的物理特性,便于使用.在模塑前要经过等离子清洗(Pre-MoldPlasmaClean),以确保模塑质量.在模塑后要经过模塑后固化(PostMoldCure),以固化模塑料.塑封(Mold