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PrincipleofLoop-mediatedisothermalamplification主要内容等温扩增的概念等温扩增的优势应用等温扩增的种类各类等温扩增技术的比较环介导等温扩增核酸技术优势环介导等温扩增核酸技术环介导等温扩增原理针对靶基因的六个不同的区域,基于靶基因3’端的F3c、F2c和Flc区以及5’端的Bl、B2和B3区等6个不同的位点设计4种引物。LAMP反应的开始阶段四条引物都被使用,但在循环阶段则只有内引物被使用。FIP(ForwardInnerPrimer):上游内部引物,由F2区和F1C区域组成,F2区与靶基因3’端的F2c区域互补,F1C区与靶基因5’端的Flc区域序列相同。F3引物:上游外部引物(ForwardOuterPrimer),由F3区组成,并与靶基因的F3c区域互补。BIP引物:下游内部引物(BackwardInnerPrimer),由B1C和B2区域组成,B2区与靶基因3’端的B2c区域互补,B1C域与靶基因5’端的Blc区域序列相同。B3引物:下游外部引物(BackwardOuterPrimer),由B3区域组成,和靶基因的B3c区域互补。环介导等温扩增引物设计环介导的等温扩增技术原理环介导的等温扩增技术原理环介导的等温扩增技术原理环介导等温扩增过程演示反应时间对LAMP的影响环介导等温扩增检测检测流程图