LED发光组件的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102339929A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102339929A(43)申请公布日2012.02.01(21)申请号201010239135.5(22)申请日2010.07.29(71)申请人富士迈半导体精密工业（上海）有限公司地址201600上海市松江区松江工业区西部科技工业园区文吉路500号申请人沛鑫能源科技股份有限公司(72)发明人赖志铭吕英杰(51)Int.Cl.H01L33/48(2010.01)H01L33/64(2010.01)H01L33/62(2010.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称LED发光组件的制造方法(57)摘要一种LED发光组件的制造方法，包括如下步骤：(A)提供一具有凹槽的导热基板及一LED芯片；(B)在该导热基板凹槽的肩部形成一电极电路层；(C)于该导热基板凹槽的底部与该LED芯片一侧面分别镀上一金属层；(D)藉由共晶结合技术，使该LED芯片的金属层与导热基板凹槽底部的金属层形成一共晶层；(E)从LED芯片引出电极，将该电极与该电极电路层导电连接；及(F)对LED芯片进行封装。CN10239ACCNN110233992902339942A权利要求书1/1页1.一种LED发光组件的制造方法，包括如下步骤：(A)提供一具有凹槽的导热基板及一LED芯片；(B)在该导热基板凹槽的肩部形成一电极电路层；(C)于该导热基板凹槽的底部与该LED芯片一侧面分别镀上一金属层；(D)藉由共晶结合技术，使该LED芯片的金属层与导热基板凹槽底部的金属层形成一共晶层；(E)从LED芯片引出电极，将该电极与该电极电路层导电连接；及(F)对LED芯片进行封装。2.如权利要求1所述的LED发光组件的制造方法，其特征在于，在步骤(A)和步骤(B)之间还包括于该导热基板上形成一电绝缘层，该电极电路层形成在电绝缘层上。3.如权利要求2所述的LED发光组件的制造方法，其特征在于，所述导热基板为Si板，形成电绝缘层的制程采用下述方法中的一种：(1)氧化法，Si板表面氧化形成SiO2层；(2)氮化法，在高温下通入氮气于Si板表面形成SixNy层；(3)结合以上两种方法形成SixOyNz层；(4)旋转涂胶法，涂布旋涂式玻璃(spinonglass，SOG)于Si板表面，再加热形成均匀的氧化硅层。4.如权利要求2所述的LED发光组件的制造方法，其特征在于，所述导热基板为Al板，形成电绝缘层的制程采用下述方法中的一种：(1)氧化法，Si板表面氧化形成AlxOy层；(2)氮化法，在高温下通入氮气于Al板表面形成AlxNy层；(3)结合以上两种方法形成AlxOyNz层。5.如权利要求1所述的LED发光组件的制造方法，其特征在于，该导热基板为不导电的陶瓷材料AlxOy、AlN或ZrO2，该电极电路层直接形成于该导热基板上。6.如权利要求1所述的LED发光组件的制造方法，其特征在于，该导热基板的导热系数大于20W/mK。7.如权利要求1所述的LED发光组件的制造方法，其特征在于，该共晶层的材料是金属Au、Sn、In、Al、Ag、Bi或Be或其合金。8.如权利要求1所述的LED发光组件的制造方法，其特征在于，所述LED芯片具有一衬底，该另一金属层形成于该LED芯片的衬底上。9.如权利要求8所述的LED发光组件的制造方法，其特征在于，所述衬底的载子浓度小于或等于2×106cm-3。2CCNN110233992902339942A说明书1/4页LED发光组件的制造方法技术领域[0001]本发明涉及一种LED发光组件的制造方法。背景技术[0002]目前，发光二极管(LightEmittingDiode，LED)因具光质佳及发光效率高等特性而逐渐取代冷阴极荧光灯(ColdCathodeFluorescentLamp，CCFL)，成为照明装置中的发光组件。[0003]现有的一种LED发光组件的结构与制造方法，是将LED芯片封装后黏着于一印刷电路板(PCB)上，然后将电路板与一金属性基板结合，其中，LED芯片与PCB之间通常会经由银胶等黏结材料粘接。由于，在该LED发光组件结构中，LED芯片与金属基板间的接口层较多，即LED芯片产生的热量需经由基座、电极、焊料、PCB才能到达金属性基板，这当中存在着较大热阻。再者，一般银胶之热传导系数(ThermalConductivity)仅5～10W/mK，导致LED芯片产生的热量不能快速、及时地传至金属性基板而散发掉，反而在银胶与发光二极管之间的接口上聚积，一则造成光衰，一则大幅降低发光组件的使用寿命。发明内容[0004]有鉴于此，实有必要提供一种制造具有较高散热效率的LED发光组件的方法。[0005]一种LED发光组件的制造方法，包括如下步骤