室温固化性聚有机硅氧烷组合物和电气·电子装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN104487519A(43)申请公布日2015.04.01(21)申请号201380039986.7(51)Int.Cl.(2006.01)(22)申请日2013.07.19C08L83/04C08K5/5415(2006.01)(30)优先权数据C08K5/56(2006.01)2012-1672552012.07.27JPC09D7/12(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C09D183/04(2006.01)2015.01.27(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2013/0696442013.07.19(87)PCT国际申请的公布数据WO2014/017397JA2014.01.30(71)申请人迈图高新材料日本合同公司地址日本东京都(72)发明人饭田勋森田康仁(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司72001代理人李志强吕彩霞权利要求书2页说明书12页附图1页(54)发明名称室温固化性聚有机硅氧烷组合物和电气·电子装置(57)摘要本发明的室温固化性聚有机硅氧烷组合物为：相对于100质量份的由10~80质量份的(A1)两末端用烷氧基甲硅烷基封闭的聚有机硅氧烷45和90~20质量份的(A2)以通式：RbSi(OR)4−b表示的硅烷化合物的部分水解缩合物(Si数为10~200)构成的聚有机硅氧烷(A)，含有0.1~15质量份的作为交联剂的(B)硅烷化合物或其部分水解缩合物(Si数为1以上且低于10)和0.1~15质量份的(C)作为固化催化剂的有机钛化合物。低粘度、在无溶剂条件下涂布性良好且形成耐划痕性优异的固化被膜。CN104487519ACN104487519A权利要求书1/2页1.室温固化性聚有机硅氧烷组合物，其特征在于，相对于100质量份的由10~80质量份的(A1)和90~20质量份的(A2)构成的聚有机硅氧烷(A)，含有0.1~15质量份的(B)和0.1~15质量份的(C)，(A1)为以下述通式表示的将分子的两末端用烷氧基甲硅烷基封闭的聚有机硅氧烷：[化1]式中，R1为烷基或将烷基的氢原子的一部分用烷氧基取代的烷氧基取代烷基，R2和R3为未取代的一价烃基或将氢原子的一部分用卤素原子或氰基烷基取代的一价烃基，X为二价的氧(氧基)或二价烃基；另外a为0或1，n为1≤n<20的整数；(A2)为以下述通式表示的硅烷化合物的部分水解缩合物：45RbSi(OR)4-b………(2)式中，R4为未取代的一价烃基或将氢原子的一部分用卤素原子或氰基烷基取代的一价烃基，R5为烷基或将烷基的氢原子的一部分用烷氧基取代的烷氧基取代烷基；另外b为0、1或2，b的平均值为0.8~1.2；其中，1分子中的Si数为10~200；(B)为以下述通式表示的硅烷化合物或其部分水解缩合物：67RcSi(OR)4-c………(3)式中，R6为未取代的一价烃基或将氢原子的一部分用卤素原子或氰基烷基取代的一价烃基取代，R7为烷基或将烷基的氢原子的一部分用烷氧基取代的烷氧基取代烷基，c为0、1或2；其中，1分子中的Si数为1以上且低于10；(C)为作为固化催化剂的有机钛化合物。2.权利要求1的室温固化性聚有机硅氧烷组合物，其特征在于，进一步含有1~100质量份的(D)以下列通式表示的将分子的两末端用烷氧基甲硅烷基封闭的聚有机硅氧烷：[化2]式中，R8为烷基或将烷基的氢原子的一部分用烷氧基取代的烷氧基取代烷基，R9和R10为未取代的一价烃基或将氢原子的一部分用卤素原子或氰基烷基取代的一价烃基，Y为二2CN104487519A权利要求书2/2页价的氧(氧基)或二价烃基；另外d为0或1，m为20≤n<200的整数。3.权利要求1或2的室温固化性聚有机硅氧烷组合物，其特征在于，其为电气·电子装置的电极和/或配线的涂布用组合物。4.电气·电子装置，其特征在于，在电极和/或配线的表面具有由权利要求1~3中任一项的室温固化性聚有机硅氧烷组合物的固化物构成的被膜。3CN104487519A说明书1/12页室温固化性聚有机硅氧烷组合物和电气·电子装置技术领域[0001]本发明涉及室温固化性聚有机硅氧烷组合物和电气·电子装置，特别是涉及形成耐划痕性优异的固化被膜、作为电气·电子装置用涂布材料等有用的室温固化性聚有机硅氧烷组合物和具有该室温固化性聚有机硅氧烷组合物的固化被膜的电气·电子装置。背景技术[0002]目前，已知在室温下固化产生橡胶状等固化物的各种室温固化性聚有机硅氧烷组合物。其中，在通过与空气中的水分接触而发生固化反应的类型中，在固化时释放对金属类的腐蚀轻的醇或酮等的材料，除了操作性良好以外，腐蚀电极或配线的可能性小，而且粘接性等也优异，所以通常被用于电气·电子零件