用于卷烧式石墨化的聚酰亚胺膜及石墨膜制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106744792A(43)申请公布日2017.05.31(21)申请号201611089619.X(22)申请日2016.12.01(71)申请人达迈科技股份有限公司地址中国台湾新竹县新埔镇文德路三段127号(72)发明人吴家浩赖昱辰(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人任岩(51)Int.Cl.C01B32/05(2017.01)C01B32/205(2017.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称用于卷烧式石墨化的聚酰亚胺膜及石墨膜制造方法(57)摘要一种用于卷烧式石墨化的聚酰亚胺膜及石墨膜制造方法，该聚酰亚胺膜由二胺及二胺反应而得，该二胺包含4，4′-二胺基二苯醚(4，4′-oxydianiline(4，4′-ODA))及对苯二胺(phenylenediamine(PDA))，其中ODA/PDA的摩尔比为50/50～80/20，二酐为均苯四甲酸二酸酐(pyromelliticdianhydride(PMDA))。该卷筒式石墨膜的制造方法，是将该聚酰亚胺膜进行碳化热处理，以形成一碳化膜；及将该碳化膜进行石墨化热处理，以形成一石墨膜。CN106744792ACN106744792A权利要求书1/1页1.一种卷烧式石墨膜的制造方法，包括下列步骤：提供一种石墨膜前驱物的卷筒状聚酰亚胺膜，其厚度为10～150μm，其由二胺及二胺反应而得，该二胺包含4，4′-二胺基二苯醚(4，4′-oxydianiline(4，4′-ODA))及对苯二胺(phenylenediamine(p-PDA))，其中ODA/PDA的摩尔比为50/50～80/20，二酐为均苯四甲酸二酸酐(pyromelliticdianhydride(PMDA))；将该聚酰亚胺膜进行碳化热处理，以形成一碳化膜；以及将该碳化膜进行石墨化热处理，以形成一石墨膜。2.如权利要求1所述的卷烧式石墨膜的制造方法，其中，该聚酰亚胺膜的杨氏模数(Young’smodulus)介于330～490Kgf/mm2之间。3.如权利要求1所述的卷烧式石墨膜的制造方法，其中，该ODA/PDA的摩尔比为70/30～50/50，与PMDA进行反应而得到厚度为10～25μm的聚酰亚胺膜。4.如权利要求1所述的卷烧式石墨膜的制造方法，其中，该ODA/PDA的摩尔比为75/25～60/40，与PMDA进行反应而得到厚度为25～38μm的聚酰亚胺膜。5.如权利要求1所述的卷烧式石墨膜的制造方法，其中，该ODA/PDA的摩尔比为80/20～65/35，与PMDA进行反应而得到厚度为38～75μm的聚酰亚胺膜。6.如权利要求1所述的卷烧式石墨膜的制造方法，其中，该ODA/PDA的摩尔比为80/20～70/30，与PMDA进行反应而得到厚度为75～125μm的聚酰亚胺膜。7.如权利要求1所述的卷烧式石墨膜的制造方法，其中，该碳化热处理温度在800～1300℃之间。8.如权利要求1所述的卷烧式石墨膜的制造方法，其中，该石墨化热处理温度在2500～3000℃之间。9.一种用于卷烧式石墨化的聚酰亚胺膜，其包括有；二胺，该二胺包含4，4′-二胺基二苯醚(4，4′-oxydianiline(4，4′-ODA))及对苯二胺(phenylenediamine(p-PDA))，其中ODA/PDA的摩尔比为50/50～80/20；以及二酐，其为均苯四甲酸二酸酐(pyromelliticdianhydride(PMDA))。10.如权利要求9所述的用于卷烧式石墨化的聚酰亚胺膜，其中，该聚酰亚胺膜的杨氏模数(Young’smodulus)介于330～480Kgf/mm2之间。11.如权利要求9所述的用于卷烧式石墨化的聚酰亚胺膜，其中，该ODA/PDA的摩尔比为70/30～50/50，与PMDA进行反应而得到厚度为10～25μm的聚酰亚胺膜。12.如权利要求9所述的用于卷烧式石墨化的聚酰亚胺膜，其中，该ODA/PDA的摩尔比为75/25～60/40，与PMDA进行反应而得到厚度为25～38μm的聚酰亚胺膜。13.如权利要求9所述的用于卷烧式石墨化的聚酰亚胺膜，其中，该ODA/PDA的摩尔比为80/20～65/35，与PMDA进行反应而得到厚度为38～75μm的聚酰亚胺膜。14.如权利要求9所述的用于卷烧式石墨化的聚酰亚胺膜，其中，该ODA/PDA的摩尔比为80/20～70/30，与PMDA进行反应而得到厚度为75～125μm的聚酰亚胺膜。2CN106744792A说明书1/5页用于卷烧式石墨化的聚酰亚胺膜及石墨膜制造方法技术领域[0001]本发明涉及一种用于卷烧式石墨化的聚酰亚胺膜、石墨膜及其制造方法，特别是涉及如何调整