一种提高性能的硅基有机发光器件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107221610A(43)申请公布日2017.09.29(21)申请号201710612647.3(22)申请日2017.07.25(71)申请人南京迈智芯微光电科技有限公司地址210006江苏省南京市秦淮区牵牛巷16号(72)发明人季渊沈伟星(74)专利代理机构上海旭诚知识产权代理有限公司31220代理人郑立(51)Int.Cl.H01L51/52(2006.01)H01L27/32(2006.01)H01L51/56(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图7页(54)发明名称一种提高性能的硅基有机发光器件及其制造方法(57)摘要本发明公开了一种提高性能的硅基有机发光器件及其制造方法，涉及硅基有机发光领域，包括硅基底、金属-氧化物半导体场效应晶体管、第一金属层、通孔、底电极，有机发光层、顶电极和薄膜封装层，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管位于硅基底中，所述底电极凸出于所述硅基底表面，所述底电极的边缘由绝缘钝化物包覆，所述有机发光层覆盖于底电极和绝缘钝化物之上，所述顶电极覆盖于所述有机发光层之上，所述薄膜封装层覆盖于所述顶电极之上。本发明所述的硅基有机发光器件及其制造方法，将通孔偏置并且对底电极进行包边处理，极大提高了有机发光层铺设时的平整度，提高了发光效率。CN107221610ACN107221610A权利要求书1/1页1.一种硅基有机发光器件，包括硅基底、金属-氧化物半导体场效应晶体管、第一金属层、通孔、底电极、有机发光层、顶电极、薄膜封装层和共电极，其特征在于，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管位于硅基底中，所述底电极凸出于所述硅基底表面，所述底电极的边缘由绝缘钝化物包覆且所述底电极中未被包覆的区域为发光区，所述共电极选择性地包覆绝缘钝化物，所述通孔连接第一金属层和所述底电极，所述有机发光层覆盖于底电极和包覆于所述底电极的绝缘钝化物之上，所述顶电极覆盖于所述有机发光层和所述共电极之上，所述薄膜封装层覆盖于所述顶电极之上。2.如权利要求1所述的硅基有机发光器件，其特征在于，所述绝缘钝化物包覆底电极边缘处形成斜面，所述斜面与平面的夹角小于75度。3.如权利要求1所述的硅基有机发光器件，其特征在于，所述绝缘钝化物包覆所述底电极的边缘范围小于1微米且高度小于0.5微米，且所述绝缘钝化物包覆所述底电极之上的表面粗糙程度小于1纳米。4.如权利要求1所述的硅基有机发光器件，其特征在于，所述底电极自下而上至少包括光反射层和有机接触层，所述光反射层的材料为Al、Ag金属单质或其任意比例的混合物，所述有机接触层为Cr、Mo、Ni、Pt、Au、Cu、Ti、W、Zr、Ta、ZrOx、VOx、MoOx、AlOx、ZnOx、MoN、TiNx、TiSixNy、WSix、WNx、WSixTy、TaNx、TaSixNy、SiOx、SiNx、SiC、C60单质或其任意比例的混合物。5.如权利要求1所述的硅基有机发光器件，其特征在于，所述绝缘钝化物为氧化硅、氮化硅、光致抗蚀剂中的一种或其混合物。6.如权利要求1所述的硅基有机发光器件，其特征在于，所述通孔设置在所述底电极的边缘位置或四角位置且突出于所述发光区。7.如权利要求6所述的硅基有机发光器件，其特征在于，所述底电极具有凹陷部，所述凹陷部与相邻底电极的突出部相嵌。8.如权利要求6或7所述的硅基有机发光器件，其特征在于，所述通孔上的底电极部分被所述绝缘钝化物包覆。9.如权利要求1所述的硅基有机发光器件，其特征在于，所述底电极和第一金属层之间还设置有第二金属层，所述通孔与所述第一金属层在同一水平高度错开设置。10.如权利要求1-9任意一种硅基有机发光器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在硅基基板上制作底电极；使用掩模板直接制作绝缘钝化物或者先做绝缘钝化物层，然后使用掩模板刻蚀露出发光区；制作有机发光层；制作顶电极；制作薄膜封装层。2CN107221610A说明书1/4页一种提高性能的硅基有机发光器件及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及硅基有机发光器件领域，尤其涉及一种提高性能的硅基有机发光器件及其制造方法。背景技术[0002]在现有的硅基有机发光的器件结构中，底电极一般为三层或五层结构，通常为钛、氮化钛、铝、钛、氮化钛的垂直五层结构，如授权公告号为“CN102629667B”发明名称为“硅基顶发射有机发光微显示器件及其制备方法”中公开了这种结构，其公开的技术方案中，连接底电极的通孔设置在底电极中间，容易造成底电极表面或侧面不平整，如图1所示。另外，五层垂直的底电极结构总体高度较高，在底电极上铺设有机发光层时，也容易形成不平和褶皱，影响发光效率。[0003]因此，本领域的技术人员致力于开发一种硅基有机发光器件及