一种低温烧结闪烁体材料及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108329029A(43)申请公布日2018.07.27(21)申请号201810338598.3(22)申请日2018.04.16(71)申请人厦门迈通光电有限公司地址361000福建省厦门市湖里区湖里大道76-78号万山一号厂房四楼东侧(72)发明人王素霞张光飞(74)专利代理机构厦门市首创君合专利事务所有限公司35204代理人张松亭陈丹艳(51)Int.Cl.C04B35/50(2006.01)C04B35/622(2006.01)C09K11/77(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种低温烧结闪烁体材料及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种低温烧结闪烁体材料及其制备方法，闪烁体材料通式为：(Gd3-x-yAxBy)(Al5-mGam)O12·k(Al2-4/3a-2/3bSiaCab)O3，在制备过程中，利用施主掺杂和受主掺杂互相补偿，以消除晶格中的氧缺位，从而使制备的闪烁体材料余辉性能不恶化；同时使钙与硅的掺杂量合理配比，使制备的闪烁体材料的光产额有所提高。CN108329029ACN108329029A权利要求书1/1页1.一种低温烧结闪烁体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)制备第一溶液：将铝、硅、钙溶解在酸中，得到第一溶液；(2)制备第二溶液：将钆、B、铝、镓溶解在酸中，得到第二溶液，其中B为铈、镨、钕、钷、钐、铕、铽、镝、钬、铒、铥、镱中的至少一种；(3)制备第三溶液：第一溶液和第二溶液均匀混合，得到第三溶液；(4)制备闪烁陶瓷粉体：将氨水溶液缓慢加入第三溶液中，得到的沉淀经过压滤、烘干后经1000-1200℃、1-3小时煅烧合成，得到闪烁陶瓷粉体；(5)制备块状的闪烁体材料：将闪烁陶瓷粉体压合成坯体，经过1450-1500℃、2-4小时烧结，得到块状的闪烁体材料。2.根据权利要求1所述的一种低温烧结闪烁体材料的制备方法，其特征在于：所述第二溶液中还包括A，所述A为镧、镥、钇中的至少一种。3.根据权利要求1所述的一种低温烧结闪烁体材料的制备方法，其特征在于：所述酸为浓盐酸和浓硝酸的混合液，所述浓盐酸和浓硝酸的体积比为3:1。4.根据权利要求1所述的一种低温烧结闪烁体材料的制备方法，其特征在于：所述第一溶液中铝、硅、钙、酸的摩尔比为0.9-1.6:0.2-0.5:0.2-0.6:4.8-12。5.根据权利要求2所述的一种低温烧结闪烁体材料的制备方法，其特征在于：所述第一溶液中钆、A、B、铝、镓与酸的摩尔比为0.9-3:0-2:0.001-0.05:2-4:1-3:14-55。6.根据权利要求1所述的一种低温烧结闪烁体材料的制备方法，其特征在于：所述第一溶液和第二溶液以摩尔比1:0.2-0.5混合。7.一种低温烧结闪烁体材料，其特征在于：所述闪烁体材料通式为(Gd3-x-yAxBy)(Al5-mGam)O12·k(Al2-4/3a-2/3bSiaCab)O3，其中A为镧、镥、钇中的其中一种或其组合；B为铈、镨、钕、钷、钐、铕、铽、镝、钬、铒、铥、镱的其中一种或其组合；0≤x≤2、0.001≤y≤0.05、1≤m≤3、0.2≤a<0.5、0.2<a≤0.5、1.005≤b/a≤1.200、0.05≤k≤0.2。8.根据权利要求7所述的一种低温烧结闪烁体材料，其特征在于：所述闪烁体材料的烧结温度低于1600℃。2CN108329029A说明书1/4页一种低温烧结闪烁体材料及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种低温烧结闪烁体材料及其制备方法。背景技术[0002]电子计算机断层扫描(CT-ComputedTomography)的工作程序是这样的：它根据人体不同组织对X线的吸收与透过率的不同，通过闪烁体把透过的X射线转换成光电探测器可探测的光，然后通过光电探测器测量光的强度，将得到的数据发送到电子计算机，电子计算机对数据进行处理后，就可摄下人体被检查部位的断面或立体的图像，发现体内任何部位的细小病变。[0003]闪烁体是CT系统的核心部件。闪烁体材料是一类能吸收高能射线，并发出可见光的材料。闪烁体材料的基本性能包括光产额、衰减时间、余辉、X射线阻止本领。现有的稀土石榴石闪烁体材料具有熔点高的特点，导致其烧结温度高，高的烧结温度导致高能耗和高成本，故而常在闪烁体材料中加入降温助剂，以降低其烧结温度。但加入降温助剂会导致闪烁体材料的光产额下降、余辉增大，影响闪烁体材料的性能，进而导致以该材料制备的探测器的精度和空间分辨率降低，同时可能对人体的辐射伤害。发明内容[0004]本发明的目的在于克服现有技术的不足之处，提供了一种低温烧结闪烁体材料及其制备方法，解决了上述背景技术中烧结温度高等问题。[00