一种低温烧结BNT微波介质材料及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111943673A(43)申请公布日2020.11.17(21)申请号202010631172.4(22)申请日2020.07.03(71)申请人成都宏科电子科技有限公司地址610100四川省成都市经济技术开发区（龙泉驿）星光中路20号(72)发明人赵杨军谢波李红卫刘杨琼那文菊(74)专利代理机构成都睿道专利代理事务所(普通合伙)51217代理人陶红(51)Int.Cl.C04B35/50(2006.01)C04B35/468(2006.01)C04B35/64(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图1页(54)发明名称一种低温烧结BNT微波介质材料及其制备方法(57)摘要本发明属于电子陶瓷材料技术领域，提供了一种低温烧结BNT微波介质材料及其制备方法。该BNT微波介质材料，其原料包括主晶相、改性添加剂和烧结助剂。该BNT微波介质材料能够在保留其在高温烧结时候的电学性能的同时，大幅度的降低其烧结温度，从而极大地降低能耗并能够实现与低钯的银浆料甚至纯银浆料共烧，从而节约生产成本。该制备方法的制备过程简单，整个过程耗能不高，成本较低、易于实现工业化生产，可快捷、稳定地实现从材料配方向微波介质材料产品批量生产转化。CN111943673ACN111943673A权利要求书1/1页1.一种低温烧结BNT微波介质材料，其特征在于：其原料包括主晶相、改性添加剂和烧结助剂；所述主晶相的化学式为Ba6-3XNd8+2XTi18O54(0.75≤X≤1)；所述改性添加剂包括第一Bi2O3和SiO2；所述烧结助剂包括第二Bi2O3和B2O3。2.根据权利要求1所述的低温烧结BNT微波介质材料，其特征在于：所述主晶相的摩尔百分比为65-75mol％、所述改性添加剂的摩尔百分比为7.9-20mol％、所述烧结助剂的摩尔百分比为5-16mol％。3.根据权利要求2所述的低温烧结BNT微波介质材料，其特征在于：所述第一Bi2O3占所述BNT微波介质材料的摩尔百分比为5-11mol％，所述SiO2占所述BNT微波介质材料的的摩尔百分比为2-8mol％；所述第二Bi2O3占所述BNT微波介质材料的的摩尔百分比为1-3mol％，所述B2O3占所述BNT微波介质材料的的摩尔百分比为2.5-7mol％。4.根据权利要求3所述的低温烧结BNT微波介质材料，其特征在于：所述改性添加剂还包括Sm2O3；所述Sm2O3占所述BNT微波介质材料的摩尔百分比小于或等于1mol％。5.根据权利要求4所述的低温烧结BNT微波介质材料，其特征在于：所述改性添加剂还包括Dy2O3；所述Dy2O3占所述BNT微波介质材料的摩尔百分比小于或等于1mol％。6.根据权利要求2所述的低温烧结BNT微波介质材料，其特征在于：所述烧结助剂还包括BaO；所述BaO占所述BNT微波介质材料的摩尔百分比小于或等于1mol％。7.根据权利要求6所述的低温烧结BNT微波介质材料，其特征在于：所述烧结助剂还包括TiO2；所述TiO2占所述BNT微波介质材料的摩尔百分比小于或等于2mol％。8.根据权利要求7所述的低温烧结BNT微波介质材料，其特征在于：所述烧结助剂还包括ZnO；所述ZnO占所述BNT微波介质材料的摩尔百分比小于或等于3mol％。9.一种如根据权利要求1-8任意一项所述的低温烧结BNT微波介质材料的制备方法，其特征在于：包括：(1)将所述主晶相和所述改性添加剂混合后进行球磨，球磨后烘干、过筛后于1080℃温度下进行煅烧并保温3h；接着过筛得到化合物A；(2)将所述烧结助剂进行球磨，球磨后烘干、过筛后于600℃温度下进行煅烧并保温3h，接着过筛得到化合物B；(3)将所述化合物A和所述化合物B混合后进行球磨，球磨后烘干、过筛得到粉料C；(4)将所述粉料C制成坯体后排胶，升温至960-1010℃对排胶后的所述坯体进行烧结，保温2-4h后随炉自然冷却。2CN111943673A说明书1/6页一种低温烧结BNT微波介质材料及其制备方法技术领域[0001]本发明属于电子陶瓷材料技术领域，具体地说，涉及一种低温烧结BNT微波介质材料及其制备方法。背景技术[0002]微波是一种频率位于0.3-300GHz之间的电磁波，相对于其他频段的电磁波，微波通信一方面由于穿透性好，能够用于较远距离对空卫星通讯，另一方面微波的波长相对于地球上一般物体尺寸相近或者更小，工作器件尺寸更小；此外，微波的频率较高，相对不大的带宽下，载波容量大。[0003]随着5G的逐渐商用，微波通讯在现代通讯中发挥着十分重要的作用。通信系统中常见的元器件包括谐振器，滤波器，电容器等。微波介质材料是应用于这些微波频段工作元器件的基础材料，从上世界到如今，在国际上一