一种表面大凸点晶圆临时键合方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110021547A(43)申请公布日2019.07.16(21)申请号201811593467.6(22)申请日2018.12.25(71)申请人浙江集迈科微电子有限公司地址313100浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房(72)发明人冯光建王永河马飞程明芳郁发新(74)专利代理机构杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙)33283代理人董世博(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图3页(54)发明名称一种表面大凸点晶圆临时键合方法(57)摘要本发明公开了一种表面大凸点晶圆临时键合方法，具体处理包括101）制作凹槽步骤和102）键合步骤；本发明提供能大大增加临时键合工艺的适用性的一种表面大凸点晶圆临时键合方法。CN110021547ACN110021547A权利要求书1/1页1.一种表面大凸点晶圆临时键合方法，其特征在于，具体处理包括如下步骤：101）制作凹槽步骤：在载板上表面通过光刻、刻蚀工艺制作凹槽，在载片上表面通过旋涂、喷胶或者电镀的工艺加一层键合胶；102）键合步骤：把步骤101）处理后的载板，通过加热和压合的方式使其跟转接板做临时键合，加热温度范围在20度到200度之间；转接板表面凸起或者贴装芯片被包在载板的凹槽内部。2.根据权利要求1所述的一种表面大凸点晶圆临时键合方法，其特征在于：载板大小采用4、6、8、12寸中的一种，载板厚度范围为200um到2000um，载板材料采用硅片、玻璃、石英、碳化硅、氧化铝、环氧树脂、聚氨酯中的一种。3.根据权利要求1所述的一种表面大凸点晶圆临时键合方法，其特征在于：凹槽结构深度在10um到1000um，凹槽的宽度在1um到10cm之间，凹槽截面图形为方形、圆形、椭圆形或三角形。4.根据权利要求1所述的一种表面大凸点晶圆临时键合方法，其特征在于：键合胶的厚度范围在1um到300um之间，通过烘烤使键合胶进入凹槽中。2CN110021547A说明书1/3页一种表面大凸点晶圆临时键合方法[0001]技术领域[0002]本发明涉及半导体技术领域，更具体的说，它涉及一种表面大凸点晶圆临时键合方法。背景技术[0003]在后摩尔定律的时代背景下，通过传统的缩小晶体管尺寸的方式来提高集成度变得更加困难。现在的电子系统正朝着小型化、多样化、智能化的方向发展，并最终形成具有感知、通信、处理、传输等融合多功能于一体的高集成度低成本综合电子系统。多功能综合电子系统的核心技术是集成，正在由平面集成向三维集成、由芯片级向集成度和复杂度更高的系统级集成发展。三维集成系统级封装能够解决同样面积内集成更多的晶体管的问题，是未来的发展方向。[0004]通过转接板做载板或者盖板来做系统级封装的结构既能在架构上将芯片由平面布局改为堆叠式布局，又能集成无源器件或分立元件等系统构建，使得精度、密度增加，性能大大提高，代表着未来射频集成电路技术的发展趋势，在多方面存在极大的优势特性：a)三维异构集成系统级封装采用一个芯片壳体来完成一个系统的全部互连，使总的焊点大为减少，也缩短了元件的连线路程，从而使电性能得以提高。[0005]b)三维异构集成系统级封装在同一转接板芯片中叠加两个或更多的芯片，把Z方向的空间也利用起来，又不必增加封装引脚，两芯片叠装在同一壳内与芯片面积比均大于100％，三芯片叠装可增至250％。[0006]但是转接板的制作往往需要临时键合工艺，即需要用临时键合的工艺先把一个正常厚度的载板跟转接板进行结合，然后用载板做支撑对转接板进行减薄和背面RDL和bump工艺，最后把载板去掉完成转接板的制作，这种方法对于300微米到50微米厚度之间的转接板来说是非常必要的。[0007]但是临时键合是通过键合胶的作用来实现载板和转接板的结合的，键合胶的厚度往往小于100微米，这样如果转接板表面有较大的凸起或者已经用FC工艺贴装了超薄芯片的话，就不能直接跟载板做键合，且有些凸起或者表面贴装芯片不能跟胶接触。发明内容[0008]本发明克服了现有技术的不足，提供能大大增加临时键合工艺的适用性的一种表面大凸点晶圆临时键合方法。[0009]本发明的技术方案如下：一种表面大凸点晶圆临时键合方法，具体处理包括如下步骤：101）制作凹槽步骤：在载板上表面通过光刻、刻蚀工艺制作凹槽，在载片上表面通过旋涂、喷胶或者电镀的工艺加一层键合胶；3CN110021547A说明书2/3页102）键合步骤：把步骤101）处理后的载板，通过加热和压合的方式使其跟转接板做临时键合，加热温度范围在20度到200度之间；转接板表面凸起或者贴装芯片被包在载板的凹槽内部。[0010]进一步的，载板