晶圆键合方法及晶圆键合结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115831779A(43)申请公布日2023.03.21(21)申请号202211447734.5(22)申请日2022.11.18(71)申请人苏州晶方半导体科技股份有限公司地址215000江苏省苏州市工业园区汀兰巷29号(72)发明人王鑫琴(74)专利代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256专利代理师王锋(51)Int.Cl.H01L21/60(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图4页(54)发明名称晶圆键合方法及晶圆键合结构(57)摘要本发明公开了一种晶圆键合方法及晶圆键合结构，晶圆键合方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括若干第一芯片单元，每个所述第一芯片单元包含若干第一焊垫；于所述第一焊垫上形成焊接凸起；提供第二晶圆，所述第二晶圆包括若干第二芯片单元，每个所述第二芯片单元包含若干第二焊垫；采用热压焊或超声焊技术将所述第一晶圆压合于所述第二晶圆上，所述焊接凸起与所述第二焊垫之间电性连接。本发明的晶圆键合方法以及晶圆键合结构，其能够提高集成度，且键合工艺简单，不会对晶圆造成损坏，降底了封装结构的尺寸以及封装成本。CN115831779ACN115831779A权利要求书1/1页1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括若干第一芯片单元，每个所述第一芯片单元包含若干第一焊垫；于所述第一焊垫上形成焊接凸起；提供第二晶圆，所述第二晶圆包括若干第二芯片单元，每个所述第二芯片单元包含若干第二焊垫；采用热压焊或超声焊技术将所述第一晶圆压合于所述第二晶圆上，所述焊接凸起与所述第二焊垫之间电性连接。2.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述的将所述第一晶圆压合于所述第二晶圆上的步骤之前，还包括：在所述第二晶圆设有第二焊垫的表面上形成支撑层的步骤。3.如权利要求2所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述支撑层完全覆盖所述第二焊垫。4.如权利要求2所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述支撑层上形成有若干空腔，每个所述空腔对应一个所述第二焊垫，所述空腔暴露出所述第二焊垫。5.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述的将所述第一晶圆压合于所述第二晶圆上的步骤之前，还包括：在所述第一晶圆设有第一焊垫的表面上形成支撑层的步骤。6.如权利要求5所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述支撑层完全覆盖所述第一焊垫以及所述焊接凸起。7.如权利要求5所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述支撑层上形成有若干空腔，每个所述空腔对应一个所述第一焊垫，所述空腔暴露出所述第一焊垫和所述焊接凸起。8.如权利要求2或5所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述第一晶圆压合于所述第二晶圆后，所述支撑层填充于所述第一晶圆和所述第二晶圆之间。9.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述支撑层的材质为绝缘材质，包括：环氧树脂。10.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述焊接凸起为金属凸块，所述金属凸块的材质包括Au、Ag、In。11.一种晶圆键合结构，其特征在于，包括：第一晶圆，包括若干第一芯片单元，每个所述第一芯片单元包含若干第一焊垫；第二晶圆，包括若干第二芯片单元，每个所述第二芯片单元包含若干第二焊垫，所述第二焊垫与所述第一焊垫之间通过焊接凸起电性连接。12.如权利要求11所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述晶圆键合结构还包括支撑层，所述支撑层形成于所述第一晶圆和所述第二晶圆之间以密封所述第一晶圆和所述第二晶圆之间的区域。13.如权利要求12所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述支撑层上形成有空腔，所述第一焊垫、第二焊垫以及焊接凸起位于所述空腔内。14.如权利要求11所述的晶圆键合结构，其特征在于，所述焊接凸起为金属凸块，所述金属凸块的材质包括Au、Ag、In。2CN115831779A说明书1/7页晶圆键合方法及晶圆键合结构技术领域[0001]本发明是关于半导体封装技术领域，特别是关于一种晶圆键合方法以及晶圆键合结构。背景技术[0002]现有技术中，一般采用多芯片模块组合进行封装，将多个芯片堆叠在一起，使单个封装体实现更多功能。其主要封装方式为采用多个芯片电连接于基板上，形成多芯片封装体的结构，但这种封装结构尺寸大、工艺复杂、封装成本高。[0003]公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种晶圆键合方法以及晶圆键合结构，其能够提高集成度，且键合工艺简单，不会对晶圆造成损坏，降底了封装结构的尺寸以及封装成本。[0005]为实现上述目的，本发明的实施例提供了一种晶圆键合方法，包括：提供第一晶圆