电致变色膜系的制备方法及电致变色器件的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112210754A(43)申请公布日2021.01.12(21)申请号202010896429.9G02F1/153(2006.01)(22)申请日2020.08.31G02F1/155(2006.01)(71)申请人基迈克材料科技（苏州）有限公司地址215200江苏省苏州市吴江区汾湖经济开发区汾杨路东侧(72)发明人周钧程银兵庄志杰(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司44224代理人孔令聪(51)Int.Cl.C23C14/08(2006.01)C23C14/18(2006.01)C23C14/06(2006.01)C23C14/35(2006.01)C23C14/34(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图2页(54)发明名称电致变色膜系的制备方法及电致变色器件的制备方法(57)摘要本发明涉及一种电致变色膜系的制备方法及电致变色器件的制备方法。电致变色膜系的制备方法包括如下步骤：采用气相沉积技术在第一透明保护层上形成第一导电薄膜层，第一导电薄膜层的材质为金属氧化物；采用气相沉积技术在第一导电薄膜层上形成离子储存层，离子储存层的材质为锂合金或者锂金属氧化物；采用气相沉积技术在离子储存层上形成离子传导输送层，离子传导输送层的材质为含锂的聚阴离子化合物；采用气相沉积技术在离子传导输送层上形成离子变色层，离子变色层的材质为金属氧化物；采用气相沉积技术在离子变色层上形成第二导电薄膜层，第二导电薄膜层的材质为金属氧化物；以及采用气相沉积技术在第二导电薄膜层上形成第二透明保护层。CN112210754ACN112210754A权利要求书1/2页1.一种电致变色膜系的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：采用气相沉积技术在第一透明保护层上形成第一导电薄膜层，所述第一导电薄膜层的材质为金属氧化物；采用气相沉积技术在所述第一导电薄膜层上形成离子储存层，所述离子储存层的材质为锂合金或者锂金属氧化物；采用气相沉积技术在所述离子储存层上形成离子传导输送层，所述离子传导输送层的材质为含锂的聚阴离子化合物；采用气相沉积技术在所述离子传导输送层上形成离子变色层，所述离子变色层的材质为金属氧化物；采用气相沉积技术在所述离子变色层上形成第二导电薄膜层，所述第二导电薄膜层的材质为金属氧化物；以及采用气相沉积技术在所述第二导电薄膜层上形成第二透明保护层，得到电致变色膜系。2.根据权利要求1所述的电致变色膜系的制备方法，其特征在于，在所述离子变色层上形成第二导电薄膜层之前，还包括以下步骤：采用气相沉积技术在所述离子变色层上形成离子储色层，所述离子储色层的材质为锂金属氧化物。3.根据权利要求2所述的电致变色膜系的制备方法，其特征在于，采用气相沉积技术在所述离子变色层上形成离子储色层的操作为：将真空度抽到设定值，之后升温至370℃～430℃，通入260sccm～380sccm的惰性气体与30sccm～38sccm的氧气，在真空条件下进行溅射沉积，得到离子储色层，所述离子储色层的厚度为250nm～360nm。4.根据权利要求1所述的电致变色膜系的制备方法，其特征在于，采用气相沉积技术在所述第一透明保护层上形成第一导电薄膜层的操作为：将真空度抽到设定值，之后升温至170℃～230℃，通入220sccm～300sccm的惰性气体与35sccm～48sccm的氧气，在真空条件下进行溅射沉积，得到第一导电薄膜层，所述第一导电薄膜层的厚度为200nm～280nm，所述第一导电薄膜层的方块电阻值为10Ω/□～12Ω/□。5.根据权利要求1所述的电致变色膜系的制备方法，其特征在于，采用气相沉积技术在所述第一导电薄膜层上形成离子储存层的操作为：将真空度抽到设定值，之后升温至370℃～430℃，通入240sccm～370sccm的惰性气体与30sccm～38sccm的氧气，在真空条件下进行溅射沉积，得到离子储存层，所述离子储存层的厚度为200nm～250nm。6.根据权利要求1所述的电致变色膜系的制备方法，其特征在于，采用气相沉积技术在所述离子储存层上形成离子传导输送层的操作为：将真空度抽到设定值，之后升温至370℃～430℃，通入260sccm～380sccm的惰性气体与30sccm～38sccm的氧气，在真空条件下进行溅射沉积，得到离子传导输送层，所述离子传导输送层的厚度为850nm～1280nm。7.根据权利要求1所述的电致变色膜系的制备方法，其特征在于，采用气相沉积技术在所述离子传导输送层上形成离子变色层的操作为：将真空度抽到设定值，之后升温至370℃～430℃，通入240sccm～370sccm的惰性气体与30sccm～38sccm的氧气，在真空条件下进行溅射沉积，得到离子变色