集成光学元件、集成光学元件的制备方法及激光设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113270789A(43)申请公布日2021.08.17(21)申请号202010094937.5(22)申请日2020.02.14(71)申请人江西欧迈斯微电子有限公司地址330096江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道699号(72)发明人罗杰王志毛信贤(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司44202代理人熊永强(51)Int.Cl.H01S5/026(2006.01)H01S5/183(2006.01)权利要求书1页说明书10页附图3页(54)发明名称集成光学元件、集成光学元件的制备方法及激光设备(57)摘要本发明提供一种集成光学元件，其包括基底、Vcsel单元及PD单元；所述Vcsel单元和所述PD单元电连接且间隔设置于所述基底的表面；所述Vcsel单元的出光口和所述PD单元的受光面位于远离所述基底的同一侧；所述Vcsel单元用于发射激光，所述PD单元用于获取经目标物反射回的所述激光以实现检测。本发明的集成光学元件制备工艺简单、生产成本低、体积小。此外，本发明还提供一种集成光学元件的制备方法及激光设备。CN113270789ACN113270789A权利要求书1/1页1.一种集成光学元件，其特征在于，包括基底、Vcsel单元及PD单元；所述Vcsel单元和所述PD单元间隔设置于所述基底的表面；所述Vcsel单元的出光口和所述PD单元的受光面位于远离所述基底的同一侧；所述Vcsel单元用于发射激光，所述PD单元用于获取经目标物反射回的所述激光以实现检测。2.根据权利要求1所述的集成光学元件，其特征在于，所述Vcsel单元自所述基底表面向背离所述基底的方向横截面积逐渐减小或者阶梯减小；所述PD单元自所述基底表面向背离所述基底的方向横截面积逐渐增大或者阶梯增大，以增大所述PD单元的所述受光面。3.根据权利要求1所述的集成光学元件，其特征在于，所述Vcsel单元包括第一N电极，所述第一N电极设置在所述基底表面，且与所述出光口同侧，所述第一N电极与所述出光口间隔层叠设置；或者所述第一N电极设置在所述基底表面，且所述第一N电极与所述出光口设置在所述基底相对的两侧。4.根据权利要求1所述的集成光学元件，其特征在于，所述PD单元包括第二N电极，所述第二N电极设置在所述基底表面，且与所述受光面同侧，所述第二N电极与所述受光面间隔层叠设置；或者所述第二N电极设置在所述基底表面，且所述第二N电极与所述受光面设置在所述基底相对的两侧。5.根据权利要求1所述的集成光学元件，其特征在于，所述Vcsel单元包括第一N电极，所述PD单元包括第二N电极，所述第一N电极和所述第二N电极设置在所述基底的同一表面或者分别设置在所述基底相对的表面。6.一种集成光学元件，其特征在于，包括基底、多个Vcsel单元及多个PD单元；多个所述Vcsel单元阵列排布在所述基底上；多个所述PD单元阵列排布在阵列排布的所述Vcsel单元的间隙中，且所述Vcsel单元和所述PD单元间隔设置；所述Vcsel单元的出光口和所述PD单元的受光面位于远离所述基底的同一侧；所述Vcsel单元用于发射激光，所述PD单元用于获取经目标物反射回的所述激光以实现检测。7.一种权利要求1述的集成光学元件的制备方法，其特征在于，包括：在基底表面上形成阵列排布的多个Vcsel单元；在每个所述Vcsel单元除出光口一侧的表面之外的表面上覆上绝缘树脂，并使相邻的所述Vcsel单元之间形成间隙或者在Vcsel单元之间形成阵列排布的孔隙；在阵列排布的Vcsel单元的间隙或孔隙中形成阵列排布的多个所述PD单元，所述Vcsel单元的出光口和所述PD单元的受光面位于远离所述基底的同一侧。8.根据权利要求7所述的集成光学元件的制备方法，其特征在于，所述Vcsel单元自所述基底表面向背离所述基底的方向横截面积逐渐减小或者阶梯减小；所述PD单元自所述基底表面向背离所述基底的方向横截面积逐渐增大或者阶梯增大，以增大所述PD单元的所述受光面。9.根据权利要求5所述的集成光学元件的制备方法，其特征在于，所述Vcsel单元包括第一N电极，所述PD单元包括第二N电极，所述第一N电极和所述第二N电极形成于所述基底的同一表面或者分别形成于所述基底相对的表面。10.一种激光设备，其特征在于，包括激光设备本体及权利要求1-6任一项所述的集成光学元件，所述激光设备本体包括电路板，所述电路板与所述集成光学元件电连接。2CN113270789A说明书1/10页集成光学元件、集成光学元件的制备方法及激光设备技术领域[0001]本发明涉及半导体集成电路领域，具体涉及一种集成光学元件及激光设备。背景技术[0002]现有的垂直腔面发射激光器(Vertica