半导体键合结构及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113644020A(43)申请公布日2021.11.12(21)申请号202111200988.2(22)申请日2021.10.15(71)申请人浙江集迈科微电子有限公司地址313100浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房(72)发明人黄雷冯光建马飞(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219代理人卢炳琼(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图2页(54)发明名称半导体键合结构及其制备方法(57)摘要本发明提供一种半导体键合结构及其制备方法，在第一载片中形成相连通的第一凹槽、第一孔、第二凹槽，以及图形化的第一键合层；在第二载片中形成贯穿第二载片的第二孔，以及图形化的第二键合层；并通过将第一键合层与第二键合层键合构成具有空腔结构的临时键合载片；而后将半导体结构片通过临时键合胶键合于临时键合载片上，从而在后续的工艺过程中，临时键合胶内产生的内压力可以通过临时键合载片中的空腔结构得以释放，以此解决在高温高真空工艺过程中，因为临时键合胶产生的压力无法释放所造成的半导体结构片鼓泡、裂片等问题，以提高最终制备的转接板质量。CN113644020ACN113644020A权利要求书1/2页1.一种半导体键合结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第一载片，所述第一载片包括第一面及相对的第二面；自所述第一载片的第一面，图形化所述第一载片，形成第一凹槽及第一孔，且所述第一凹槽显露所述第一孔的第一端；在所述第一载片的第二面上，形成图形化的第一键合层；自所述第一载片的第二面，图形化所述第一载片，形成第二凹槽，且所述第二凹槽显露所述第一孔的第二端；提供第二载片，所述第二载片包括第一面及相对的第二面；在所述第二载片的第一面上形成图形化的第二键合层，所述第二键合层与所述第一键合层对应设置，以及于所述第二载片中形成第二孔，且所述第二孔贯穿所述第二载片；将所述第一键合层及第二键合层进行键合，形成具有空腔结构的临时键合载片；于所述临时键合载片上涂覆临时键合胶，所述临时键合胶填充所述第一凹槽；提供半导体结构片，通过所述临时键合胶将所述半导体结构片与所述临时键合载片进行键合。2.根据权利要求1所述的半导体键合结构的制备方法，其特征在于：所述第二凹槽的数量大于所述第一凹槽的数量，且所述第二凹槽的宽度小于所述第一凹槽的宽度。3.根据权利要求1所述的半导体键合结构的制备方法，其特征在于：所述第一键合层及第二键合层采用相同材料，包括金属材料或热固性非金属材料。4.根据权利要求1所述的半导体键合结构的制备方法，其特征在于：形成所述第一凹槽的步骤在形成所述第一孔的步骤之前，或形成所述第一凹槽的步骤在形成所述第一孔的步骤之后。5.根据权利要求1所述的半导体键合结构的制备方法，其特征在于：还包括在所述第二载片的第一面上形成第三凹槽的步骤，且所述第三凹槽与所述第二凹槽对应设置；形成所述第三凹槽的步骤在形成所述第二键合层之前，或形成所述第三凹槽的步骤在形成所述第二键合层之后。6.根据权利要求1所述的半导体键合结构的制备方法，其特征在于：形成所述第二孔的步骤在形成所述第二键合层之后，或形成所述第二孔的步骤在形成所述第二键合层之前。7.根据权利要求1所述的半导体键合结构的制备方法，其特征在于：还包括采用CVD法或PVD法于所述半导体结构片中制备金属件的步骤。8.一种半导体键合结构，其特征在于，所述半导体键合结构包括：第一载片，所述第一载片包括第一面及相对的第二面，所述第一载片包括自所述第一载片的第一面向内侧延伸的第一凹槽、自所述第一载片的第二面向内侧延伸的第二凹槽，第一端显露于所述第一凹槽且第二端显露于所述第二凹槽的第一孔，以及位于所述第一载片的第二面上的图形化的第一键合层；第二载片，所述第二载片包括第一面及相对的第二面，所述第二载片包括第二孔，所述第二孔贯穿所述第二载片，以及位于所述第二载片的第一面上的图形化的第二键合层，所述第二键合层与所述第一键合层对应设置，且所述第一键合层与所述第二键合层相键合，构成具有空腔结构的临时键合载片；半导体结构片，所述半导体结构片通过临时键合胶键合于所述临时键合载片上，且所2CN113644020A权利要求书2/2页述临时键合胶填充所述第一凹槽。9.根据权利要求8所述的半导体键合结构，其特征在于：所述第二凹槽的数量大于所述第一凹槽的数量，且所述第二凹槽的宽度小于所述第一凹槽的宽度。10.根据权利要求8所述的半导体键合结构，其特征在于：所述第一键合层及第二键合层采用相同材料，包括金属材料或热固性非金属材料。3CN113644020A说明书1/7页半导体键合结