电流检测装置、半导体芯片、电池管理系统及用电设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113675922A(43)申请公布日2021.11.19(21)申请号202110947958.1(22)申请日2021.08.18(71)申请人珠海迈巨微电子有限责任公司地址519000广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层147室(72)发明人不公告发明人(74)专利代理机构北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11807代理人韩德凯李晓辉(51)Int.Cl.H02J7/00(2006.01)H02J7/06(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图4页(54)发明名称电流检测装置、半导体芯片、电池管理系统及用电设备(57)摘要本公开提供了一种电流检测装置，包括：充电MOS晶体管，充电MOS晶体管的栅极用于接收充电控制信号以控制电池装置的充电；至少一个充电电流检测MOS晶体管，充电电流检测MOS晶体管检测电池装置的充电电流，充电电流检测MOS晶体管的漏极与充电MOS晶体管的漏极连接，充电电流检测MOS晶体管的栅极用于接收充电检测控制信号以对充电电流进行检测；校准电流生成电路，校准电流生成电路至少向充电MOS晶体管提供校准电流；以及采样校准控制器。本公开还提供一种半导体芯片、电池管理系统及用电设备。CN113675922ACN113675922A权利要求书1/2页1.一种电流检测装置，其特征在于，包括：充电MOS晶体管，所述充电MOS晶体管的栅极用于接收充电控制信号以控制电池装置的充电；至少一个充电电流检测MOS晶体管，所述充电电流检测MOS晶体管检测所述电池装置的充电电流，所述充电电流检测MOS晶体管的漏极与所述充电MOS晶体管的漏极连接，所述充电电流检测MOS晶体管的栅极用于接收充电检测控制信号以对所述充电电流进行检测，所述充电电流检测MOS晶体管的沟道宽长比与所述充电MOS晶体管的沟道宽长比的比值为1：M，其中M大于1；校准电流生成电路，所述校准电流生成电路至少向所述充电MOS晶体管提供校准电流；以及采样校准控制器，所述采样校准控制器基于所述校准电流以及所述比值获得所述充电电流检测MOS晶体管的理想充电电流检测值，且所述充电MOS晶体管被提供所述校准电流时，所述采样校准控制器采集所述充电电流检测MOS晶体管的测试充电电流检测值，并基于所述理想充电电流检测值与所述测试充电电流检测值生成校准参数。2.根据权利要求1所述的电流检测装置，其特征在于，还包括：放电MOS晶体管，所述放电MOS晶体管的栅极用于接收放电控制信号以控制所述电池装置的放电；至少一个放电电流检测MOS晶体管，所述放电电流检测MOS晶体管检测所述电池装置的放电电流，所述放电电流检测MOS晶体管的漏极与所述放电MOS晶体管的漏极连接，所述放电电流检测MOS晶体管的栅极用于接收放电检测控制信号以对所述放电电流进行检测，所述放电电流检测MOS晶体管的沟道宽长比与所述放电MOS晶体管的沟道宽长比的比值为1：N，其中N大于1。3.根据权利要求2所述的电流检测装置，其特征在于，所述校准电流生成电路至少向所述放电MOS晶体管提供校准电流，所述采样校准控制器基于所述校准电流以及所述比值1：N获得所述放电电流检测MOS晶体管的理想放电电流检测值，且所述放电MOS晶体管被提供所述校准电流时，所述采样校准控制器采集所述放电电流检测MOS晶体管的测试放电电流检测值，并基于所述理想放电电流检测值与所述测试放电电流检测值生成校准参数。4.根据权利要求1至3中任一项所述的电流检测装置，其特征在于，所述校准电流生成电路包括基准电压装置以及基准电阻器，所述基准电压装置提供基准电压，所述基准电压被施加到所述基准电阻器以产生所述校准电流。5.根据权利要求2所述的电流检测装置，其特征在于，所述采样校准控制器包括控制单元，所述控制单元至少向所述充电MOS晶体管的栅极提供所述充电控制信号、向所述充电电流检测MOS晶体管的栅极提供充电检测控制信号、向所述放电MOS晶体管的栅极提供放电控制信号以及向所述放电电流检测MOS晶体管的栅极提供放电检测控制信号。6.根据权利要求5所述的电流检测装置，其特征在于，所述采样校准控制器还包括采样测量电路，所述采样测量电路对所述充电电流检测MOS晶体管检测的检测电流进行采集和/或对所述放电电流检测MOS晶体管检测的检测电流进行采集。7.根据权利要求6所述的电流检测装置，其特征在于，所述采样测量电路包括第一开关部、第一电流镜、第二开关部以及第二电流镜以及电流检测电路，所述第二开关部基于所述2CN113675922A权利要求书2/2页充电电流检测MOS晶体管检测的检测电流导通，以将所述充电电流检测MOS晶体管检测的检测电流被所述第二电流镜镜像之后以被所述电流检测