反应性聚(氟烷基官能硅氧烷)低聚物、其形成工艺和使用其的组合物.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114867768A(43)申请公布日2022.08.05(21)申请号202080085151.5(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所(22)申请日2020.10.1611105专利代理师肖靖泉(30)优先权数据62/923,0222019.10.18US(51)Int.Cl.C08G77/06(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C08G77/24(2006.01)2022.06.08C09D183/08(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据C08G77/16(2006.01)PCT/US2020/0559012020.10.16C08G77/18(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据C08G77/00(2006.01)WO2021/076840EN2021.04.22(71)申请人迈图高新材料公司地址美国纽约州(72)发明人H.沈A.查维斯M.乌斯克A.H.麦金斯特里权利要求书7页说明书23页(54)发明名称反应性聚(氟烷基官能硅氧烷)低聚物、其形成工艺和使用其的组合物(57)摘要本文中显示和描述了反应性聚(氟烷基官能硅氧烷)低聚物、其制造方法、和包括其的组合物。所述反应性聚(氟烷基官能硅氧烷)低聚物衍生自可水解的氟烷基官能硅烷。包括反应性聚(氟烷基官能硅氧烷)低聚物的涂料组合物可用于在基底上形成涂层或膜并且赋予疏水和/或疏油性质。与所述可水解的氟烷基官能硅烷相比，所述反应性聚(氟烷基官能硅氧烷)低聚物更疏水和疏油并且显示出更好的耐化学性。CN114867768ACN114867768A权利要求书1/7页1.聚(氟烷基官能硅氧烷)低聚物，其具有通式(I)：123TaTbTc(I)其中1FT独立地为R‑Q‑SiX2O1/2；2FT独立地为R‑Q‑SiXO2/2；3FT独立地为R‑Q‑SiO3/2；F各R独立地为CnF(2n+1)基团，其中n为1‑16；各Q独立地为含有1‑6个碳原子的二价线型或支化亚烷基基团、或者含有1‑6个碳原子和形成醚基团的氧原子或者形成酰氨基亚烷基基团的氧代基团和氨基基团的二价线型或支化亚烷基基团；各X独立地为羟基基团或可水解基团；和其中a为0‑12的整数，b为1‑10的整数，并且c为1‑10的整数，条件是(i)T1、T2、或T3单元中与一个硅原子键合的半个氧原子和T1、T2、或T3单元中与一个不同硅原子键合的半个氧原子配对以形成Si‑O‑Si键；和(ii)a+b+c之和为5‑32。2.根据权利要求1所述的反应性聚(氟烷基官能硅氧烷)低聚物，其中T1、T2、和T3中的各FR独立地选自CF3‑、CF3(CF2)2‑、CF3(CF2)3‑、CF3(CF2)4‑、CF3(CF2)5‑、CF3(CF2)6‑和CF3(CF2)7‑。3.根据权利要求1或2所述的反应性聚(氟烷基官能硅氧烷)低聚物，其中T1、T2、和T3中的各X独立地选自羟基基团或含有1‑6个碳原子的烷氧基基团。4.根据权利要求1所述的反应性聚(氟烷基官能硅氧烷)低聚物，其中T1、T2、和T3中的各Q独立地选自‑(CH2)2‑、‑CH2CH(CH3)‑、‑(CH2)3‑或‑(CH2)4‑。5.根据权利要求1所述的反应性聚(氟烷基官能硅氧烷)低聚物，其中所述低聚物为具有式(I)的支化的聚(氟烷基官能硅氧烷)低聚物，其中a等于2+c，b为1‑10，并且c为1‑10。6.根据权利要求5所述的反应性聚(氟烷基官能硅氧烷)低聚物，其中所述支化的聚(氟烷基官能硅氧烷)低聚物具有通式(II)：其中F各R独立地为CnF(2n+1)基团，其中n为1‑16；各Q独立地为含有1‑6个碳原子的二价线型或支化亚烷基基团；2CN114867768A权利要求书2/7页各X独立地为羟基基团或含有1‑6个碳原子的烷氧基基团；和d为1‑10的整数，各e独立地为0‑2的整数，并且f为1‑10的整数，条件是[Si(QRF)XO‑]重复单元的数量为1‑10。7.根据权利要求6所述的支化的聚(氟烷基官能硅氧烷)低聚物，其中所述低聚物具有下式：FFFFFFX2Si(QR)O‑[SiX(QR)O‑][Si(QR)(OSi(QR)X2)O‑]Si(QR)X2，其中各QR为1H,1H,2H,2H‑全氟辛基并且各X为甲氧基；FFFFFFX2Si(QR)O‑[SiX(QR)O‑]2[Si(QR)(OSi(QR)X2)O‑]Si(QR)X2；其中各QR为1H,1H,2H,2H‑全氟辛基并且各X为甲氧基；FFFFFFFX2Si(QR)O‑[SiX(QR)O‑][Si(QR)(OSi(QR)X2)O‑][SiX(QR)O‑]Si(QR)X2；其中各QR为1H,1H,2H,2H‑全氟辛基并且各X为甲氧基；